[發明專利]存儲器及其形成方法

有效

• 申請號: 202010072629.2
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN111640753B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 賴惠先;林昭維;朱家儀;童宇誠;呂前宏
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本發明提供了一種存儲器及其形成方法。通過使多個節點接觸部中位于邊緣位置的第一接觸部具有絕緣接觸柱，從而使第一接觸部和對應的有源區(即，位于邊緣位置的有源區)之間為電性絕緣，進而使得所形成的位于邊緣位置的存儲單元構成非功能性存儲單元。如此，即避免了邊緣位置的非功能性存儲單元由于其性能異常而對存儲器的器件性能造成不利影響。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器及其形成方法。

背景技術

存儲器，例如動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory， DRAM)，其通常具有存儲單元陣列，所述存儲單元陣列中包括多個呈陣列式排布的存儲單元。以及，所述存儲器還具有多條位線，每一位線分別與相應的存儲單元電性連接，并且所述存儲器還包括存儲電容器，所述存儲電容器用于存儲代表存儲信息的電荷，以及所述存儲單元可通過一節點接觸部電性連接所述存儲電容器，從而實現各個存儲單元的存儲功能。

目前，基于現有的半導體制備工藝，在制備存儲單元陣列時位于邊緣位置的存儲單元容易有性能不足的問題，從而使得整個存儲器的器件性能容易受到影響。

發明內容

本發明的目的在于提供一種存儲器，以解決現有的存儲器其邊緣位置的存儲器容易出現性能不足，從而影響存儲器性能的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種存儲器，包括：

襯底，所述襯底上定義有記憶體區和周邊區，所述周邊區位于所述記憶體區的外側，以及所述襯底的所述記憶體區中形成有多個有源區；

位線組，形成在所述襯底的所述記憶體區中，所述位線組包括多條沿著預定方向延伸的位線，所述位線與所述多個有源區中對應的有源區相交，以及所述位線組中排布在邊緣位置的位線構成第一位線，所述位線組中位于所述第一位線遠離周邊區一側的位線構成第二位線；以及，

多個節點接觸部，所述多個節點接觸部中的每一節點接觸部至少部分位于所述位線的一側并形成在對應的有源區上，以及所述多個節點接觸部中排布在邊緣位置的節點接觸部構成第一接觸部，所述多個節點接觸部中位于所述第一接觸部遠離周邊區一側的節點接觸部構成第二接觸部；其中，所述第一接觸部包括絕緣接觸柱，所述絕緣接觸柱形成在所述襯底上并和相接觸的有源區電性絕緣，所述第二接觸部包括導電接觸層，所述導電接觸層形成在所述襯底上并和相接觸的有源區電性連接。

可選的，所述存儲器還包括隔離層，所述隔離層覆蓋所述位線的頂表面，以及所述隔離層中覆蓋在所述第一位線上的部分構成第一隔離部；以及，所述第一接觸部的所述絕緣接觸柱位于所述第一位線的一側，并且所述第一接觸部還包括第一電性傳導層，所述第一電性傳導層覆蓋所述絕緣接觸柱的頂表面并橫向延伸至所述第一隔離部上，以使所述第一接觸部的最大寬度尺寸大于所述第二接觸部的最大寬度尺寸。

可選的，所述第一接觸部的所述絕緣接觸柱位于所述第一位線靠近所述第二位線的一側，以使所述絕緣接觸柱位于所述第一位線和緊鄰的第二位線之間，并且所述第一接觸部的所述第一電性傳導層還往遠離所述第二位線的方向延伸至所述第一隔離部上。

可選的，所述第二接觸部的所述導電接觸層的頂表面低于所述位線的頂表面；以及，所述第二接觸部還包括第二電性傳導層，所述第二電性傳導層形成在所述導電接觸層上，并沿著高度方向向上延伸，以使所述第二電性傳導層的頂表面和所述第一電性傳導層的頂表面齊平。

可選的，所述第一接觸部的最大寬度尺寸大于所述第二接觸部的最大寬度尺寸的1倍，并且小于等于所述第二接觸部的最大寬度尺寸的2倍。

可選的，所述隔離層中覆蓋在所述第二位線上的部分構成第二隔離部，并且所述第二接觸部的頂表面高出于所述第二隔離部的頂表面；以及，所述存儲器還包括間隔絕緣層，所述間隔絕緣層形成在所述隔離層上，其中所述間隔絕緣層中形成在第一隔離部上的部分構成間隔側墻，所述間隔絕緣層中形成在第二隔離部上的部分構成間隔填充部，所述間隔填充部形成在相鄰的節點接觸部之間。