[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010072629.2
• 申請(qǐng)日: 2020-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN111640753B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賴惠先;林昭維;朱家儀;童宇誠(chéng);呂前宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上定義有記憶體區(qū)和周邊區(qū)，所述周邊區(qū)位于所述記憶體區(qū)的外側(cè)，以及所述襯底的所述記憶體區(qū)中形成有多個(gè)有源區(qū)；

位線組，形成在所述襯底的所述記憶體區(qū)中，所述位線組包括多條沿著預(yù)定方向延伸的位線，所述位線與所述多個(gè)有源區(qū)中對(duì)應(yīng)的有源區(qū)相交，以及所述位線組中排布在邊緣位置的位線構(gòu)成第一位線，所述位線組中位于所述第一位線遠(yuǎn)離周邊區(qū)一側(cè)的位線構(gòu)成第二位線；以及，

多個(gè)節(jié)點(diǎn)接觸部，所述多個(gè)節(jié)點(diǎn)接觸部中的每一節(jié)點(diǎn)接觸部至少部分位于所述位線的一側(cè)并形成在對(duì)應(yīng)的有源區(qū)上，以及所述多個(gè)節(jié)點(diǎn)接觸部中排布在邊緣位置的節(jié)點(diǎn)接觸部構(gòu)成第一接觸部，所述多個(gè)節(jié)點(diǎn)接觸部中位于所述第一接觸部遠(yuǎn)離周邊區(qū)一側(cè)的節(jié)點(diǎn)接觸部構(gòu)成第二接觸部；其中，所述第一接觸部包括絕緣接觸柱，所述絕緣接觸柱形成在所述襯底上并和相接觸的有源區(qū)電性絕緣，所述第二接觸部包括導(dǎo)電接觸層，所述導(dǎo)電接觸層形成在所述襯底上并和相接觸的有源區(qū)電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器還包括隔離層，所述隔離層覆蓋所述位線的頂表面，以及所述隔離層中覆蓋在所述第一位線上的部分構(gòu)成第一隔離部；

以及，所述第一接觸部的所述絕緣接觸柱位于所述第一位線的一側(cè)，并且所述第一接觸部還包括第一電性傳導(dǎo)層，所述第一電性傳導(dǎo)層覆蓋所述絕緣接觸柱的頂表面并橫向延伸至所述第一隔離部上，以使所述第一接觸部的最大寬度尺寸大于所述第二接觸部的最大寬度尺寸。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一接觸部的所述絕緣接觸柱位于所述第一位線靠近所述第二位線的一側(cè)，以使所述絕緣接觸柱位于所述第一位線和緊鄰的第二位線之間，并且所述第一接觸部的所述第一電性傳導(dǎo)層還往遠(yuǎn)離所述第二位線的方向延伸至所述第一隔離部上。

4.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第二接觸部的所述導(dǎo)電接觸層的頂表面低于所述位線的頂表面；

以及，所述第二接觸部還包括第二電性傳導(dǎo)層，所述第二電性傳導(dǎo)層形成在所述導(dǎo)電接觸層上，并沿著高度方向向上延伸，以使所述第二電性傳導(dǎo)層的頂表面和所述第一電性傳導(dǎo)層的頂表面齊平。

5.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一接觸部的最大寬度尺寸大于所述第二接觸部的最大寬度尺寸的1倍，并且小于等于所述第二接觸部的最大寬度尺寸的2倍。

6.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述隔離層中覆蓋在所述第二位線上的部分構(gòu)成第二隔離部，并且所述第二接觸部的頂表面高出于所述第二隔離部的頂表面；

以及，所述存儲(chǔ)器還包括間隔絕緣層，所述間隔絕緣層形成在所述隔離層上，其中所述間隔絕緣層中形成在第一隔離部上的部分構(gòu)成間隔側(cè)墻，所述間隔絕緣層中形成在第二隔離部上的部分構(gòu)成間隔填充部，所述間隔填充部形成在相鄰的節(jié)點(diǎn)接觸部之間。

7.如權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一隔離部中被所述第一電性傳導(dǎo)層覆蓋的第一部分高出于所述第一隔離部中未被所述第一電性傳導(dǎo)層覆蓋的第二部分，以使所述第一部分的側(cè)壁和所述第二部分的頂表面連接而呈現(xiàn)為臺(tái)階狀結(jié)構(gòu)，以及所述間隔側(cè)墻形成在所述第二部分的頂表面上并覆蓋所述第一部分的側(cè)壁。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一位線的寬度尺寸大于所述第二位線的寬度尺寸。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一位線的寬度尺寸大于所述第二位線的寬度尺寸的1倍，并且小于等于所述第二位線的寬度尺寸的2倍。