[發(fā)明專利]半導體發(fā)光器件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010072623.5
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN111162065A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設計）人: 李剛
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳大道半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62;H01L25/16
• 代理公司: 深圳市瑞方達知識產(chǎn)權(quán)事務所(普通合伙) 44314
• 代理人: 林儉良;王少虹

1.一種半導體發(fā)光器件，其特征在于，包括基板、外接焊盤、第一發(fā)光組件、第一光隔離墻以及第二光隔離墻；

所述基板包括相對的第一表面和第二表面，所述第一表面設有第一導電電路；所述外接焊盤設置在所述基板的第一表面和/或第二表面上并與所述第一導電電路導電連接；所述第一發(fā)光組件設置在所述基板的第一表面上并與所述第一導電電路導電連接；所述第一發(fā)光組件包括若干第一發(fā)光單元；每一所述第一發(fā)光單元包括至少一個發(fā)光芯片；

所述第一光隔離墻設置在所述第一表面上并形成有若干獨立的第一凹槽，每一所述第一發(fā)光單元位于一個對應的所述第一凹槽中；所述第二光隔離墻設置在所述第一光隔離墻上并圍設在所述第一凹槽的外周。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述第一凹槽的側(cè)壁與對應的所述第一發(fā)光單元的發(fā)光芯片的側(cè)面相貼合或者留有空隙。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述基板內(nèi)設有貫穿其第一表面和第二表面的導電通道；設置在所述基板第二表面的所述外接焊盤通過所述導電通道與所述第一導電電路導電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述第一光隔離墻由硅膠、樹脂、油墨、玻璃釉、液體玻璃、涂料、感光油墨、感光膠、熱固化膠中的一種或多種制成；

所述第二光隔離墻由感光顯像油墨、感光膠、玻璃釉、液體玻璃、涂料、樹脂和硅膠中的一種或多種制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括透光層；所述透光層設置在所述第一光隔離墻和第二光隔離墻之間，并且包裹所述發(fā)光芯片的表面和裸露的側(cè)面，還填充所述第一光隔離墻與對應的所述發(fā)光芯片之間的空隙；

部分或全部所述第二光隔離墻貫穿設置在所述第一光隔離墻上的所述透光層至所述第一光隔離墻的表面和/或所述第一光隔離墻內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述透光層與所述基板的第一表面之間的部分或全部界面設有吸光層或反光層；所述吸光層或反光層的高度小于所述第一光隔離墻的高度。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述透光層為無色透明或摻有光致發(fā)光粉末、光擴散粉未和著色粉末中至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述光致發(fā)光粉末為熒光粉和/或量子點；

所述熒光粉包括YAG熒光粉、氧化物熒光粉、氮化物熒光粉、氟化物熒光粉、鋁酸鹽熒光粉、硅酸鹽熒光粉、氮氧化物熒光粉中的一種或多種；

所述量子點包括硅量子點、鍺量子點、硫化鎘量子點、硒化鎘量子點、碲化鎘量子點、硒化鋅量子點、硫化鉛量子點、硒化鉛量子點、磷化銦量子點和砷化銦量子點中的一種或多種；

所述光擴散粉末為微米、亞微米、納米粒徑的玻璃粉、陶瓷粉、氧化物粉和氮化物粉中的一種或多種；

所述著色粉末為微米、亞微米、納米粒徑的碳黑、氧化物粉和鹽類中的一種或多種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述基板的第二表面設有第二導電電路。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述第二表面上設有與所述第二導電電路導電連接的電子元器件和/或第二發(fā)光組件。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導體發(fā)光器件，其特征在于，所述第二發(fā)光組件包括若干第二發(fā)光單元、第三光隔離墻和第四光隔離墻；

所述第三光隔離墻形成有若干獨立的第三凹槽；每一所述第二發(fā)光單元包括至少一個發(fā)光芯片；每一所述第二發(fā)光單元位于一個對應的所述第三凹槽中；

所述第四光隔離墻設置在所述第三光隔離墻上并圍設在所述第三凹槽的外周。