[發(fā)明專利]用于讀取操作的技術

在審

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• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN111477257A
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設計）人: F·貝代斯基;R·穆澤托;U·迪溫琴佐
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/4074
• 分類號: G11C11/4074;G11C11/409
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發(fā)明涉及用于讀取操作的技術。描述了用于讀取操作的方法、系統(tǒng)、裝置和技術。在一些實例中，存儲器裝置可包含第一晶體管(例如，存儲器節(jié)點晶體管)，所述第一晶體管配置成在第一柵極處接收預充電電壓，并基于所述第一晶體管的閾值通過第一開關向參考節(jié)點輸出第一電壓。所述裝置可包含第二晶體管(例如，參考節(jié)點晶體管)，所述第二晶體管配置成接收預充電電壓，并基于所述第二晶體管的閾值通過第二開關向存儲器節(jié)點輸出第二電壓。所述第一電壓可以通過參考電壓修改并被輸入到所述第二晶體管。所述第二電壓可以通過存儲在存儲器單元上的電壓修改并被輸入到所述第一晶體管。所述第一和第二晶體管可以輸出將取樣到鎖存器的第三和第四電壓。

相關申請的交叉引用

本專利申請要求Bedeschi等人于2019年1月23日提交的標題為“用于讀取操作的技術(TECHNIQUES FOR READ OPERATIONS)”的第16/254,962號美國專利申請的優(yōu)先權，所述申請轉讓給本受讓人，并且明確地以全文引用的方式并入本文中。

技術領域

技術領域涉及用于讀取操作的技術。

背景技術

下文大體上涉及一種包含至少一個存儲器裝置的系統(tǒng)，且更確切地說，涉及可包含偏移消除的用于讀取操作的技術。

存儲器裝置廣泛用于將信息存儲在例如計算機、無線通信裝置、相機、數字顯示器等各種電子裝置中。通過編程存儲器裝置的不同狀態(tài)來存儲信息。例如，二進制裝置最常存儲通常由邏輯1或邏輯0表示的兩種狀態(tài)中的一個。在其它裝置中，可以存儲多于兩個狀態(tài)。為了存取所存儲的信息，裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的至少一個所存儲狀態(tài)。為了存儲信息，裝置的組件可寫入或編程存儲器裝置中的狀態(tài)。

存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)RAM(DRAM)、同步動態(tài)RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)等。存儲器裝置可為易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存儲器即使在無外部電源存在下仍可維持所存儲的邏輯狀態(tài)很長一段時間。例如DRAM的易失性存儲器裝置在與外部電源斷開連接時可能會丟失它們所存儲的狀態(tài)。FeRAM能夠實現類似于易失性存儲器的密度，但可具有非易失性特性，這是因為使用鐵電電容器作為存儲裝置。

一般來說，改進存儲器裝置可包含增加存儲器單元密度、增加讀取/寫入速度、增加可靠性、增加數據保持、降低功率消耗或降低制造成本以及其它度量。一些存儲器單元可配置成存儲多個狀態(tài)。還可能希望提高存儲器裝置的感測組件的效率(例如，更少的功率消耗、提高的感測準確性)。

發(fā)明內容

描述一種設備。所述設備可包含：第一晶體管；其配置成在第一柵極處接收第一電壓并向第一節(jié)點輸出第二電壓；第二晶體管，其配置成在第二柵極處接收第三電壓并向第二節(jié)點輸出第四電壓；第三晶體管，其與第一節(jié)點耦合且配置成將所述第二電壓傳輸到與存儲器單元相關聯的第三節(jié)點，所述第二電壓至少部分地基于所述第一電壓和所述第一晶體管的第一電壓閾值；第四晶體管，其與所述第三節(jié)點和所述第二晶體管的所述第二柵極耦合且配置成至少部分地基于所述第二電壓和與所述存儲器單元相關聯的邏輯狀態(tài)而選擇性地偏置所述第二柵極；以及鎖存器，其包括第一輸入，所述第一輸入與所述第一節(jié)點耦合且配置成至少部分地基于接收到參考電壓信號而確定與所述存儲器單元相關聯的所述邏輯狀態(tài)。