[發(fā)明專利]用于讀取操作的技術(shù)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010072184.8
• 申請(qǐng)日: 2020-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN111477257A
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: F·貝代斯基;R·穆澤托;U·迪溫琴佐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G11C11/4074
• 分類號(hào): G11C11/4074;G11C11/409
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種設(shè)備，其包括：

第一晶體管，其配置成在第一柵極處接收第一電壓并向第一節(jié)點(diǎn)輸出第二電壓；

第二晶體管，其配置成在第二柵極處接收第三電壓并向第二節(jié)點(diǎn)輸出第四電壓；

第三晶體管，且與所述第一節(jié)點(diǎn)耦合且配置成將所述第二電壓傳輸?shù)脚c存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的第三節(jié)點(diǎn)，所述第二電壓至少部分地基于所述第一電壓和所述第一晶體管的第一電壓閾值；

第四晶體管，其與所述第三節(jié)點(diǎn)和所述第二晶體管的所述第二柵極耦合，且配置成至少部分地基于所述第二電壓和與所述存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的邏輯狀態(tài)而選擇性地偏置所述第二柵極；以及

鎖存器，其包括第一輸入，所述第一輸入與所述第一節(jié)點(diǎn)耦合且配置成至少部分地基于接收到參考電壓信號(hào)而確定與所述存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的所述邏輯狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括：

第五晶體管，其與所述第二節(jié)點(diǎn)耦合且配置成將所述第四電壓傳輸?shù)降谒墓?jié)點(diǎn)，所述第四電壓至少部分地基于所述第三電壓和所述第二晶體管的第二電壓閾值；以及

第六晶體管，其與所述第四節(jié)點(diǎn)和所述第一晶體管的所述第一柵極耦合，且配置成至少部分地基于所述第四電壓而選擇性地偏置所述第一柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述鎖存器進(jìn)一步包括第二輸入，所述第二輸入與所述第二節(jié)點(diǎn)耦合且配置成選擇性地接收與所述存儲(chǔ)器單元的所述邏輯狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的第五電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管各自包括源極隨耦器電路。

5.一種方法，其包括：

將第一晶體管的第一柵極偏置到第一電壓；

至少部分地基于將所述第一晶體管的所述第一柵極偏置到所述第一電壓，將第一節(jié)點(diǎn)預(yù)充電到第二電壓，所述第二電壓至少部分地基于所述第一電壓和所述第一晶體管的第一閾值電壓；

至少部分地基于對(duì)所述第一節(jié)點(diǎn)預(yù)充電，耦合存儲(chǔ)器單元與預(yù)充電到所述第二電壓的所述第一節(jié)點(diǎn)；

至少部分地基于耦合所述存儲(chǔ)器單元與所述第一節(jié)點(diǎn)，將第二晶體管的第二柵極偏置到第三電壓；以及

至少部分地基于向所述第二晶體管的所述第二柵極施加所述第三電壓，向與鎖存器和所述第二晶體管耦合的第二節(jié)點(diǎn)施加第四電壓，所述第四電壓至少部分地基于所述第三電壓和所述第二晶體管的第二閾值電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其進(jìn)一步包括：

至少部分地基于向與所述鎖存器耦合的所述第二節(jié)點(diǎn)施加所述第四電壓，確定存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器單元上的邏輯狀態(tài)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其進(jìn)一步包括：

啟動(dòng)第三晶體管以耦合所述第一晶體管與所述第一節(jié)點(diǎn)，其中對(duì)所述第一節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至少部分地基于啟動(dòng)所述第三晶體管；以及

在啟動(dòng)所述第三晶體管之后，啟動(dòng)第四晶體管以耦合所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二晶體管的所述第二柵極，其中偏置所述第二晶體管的所述第二柵極至少部分地基于啟動(dòng)所述第四晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中：

所述第一晶體管與在所述存儲(chǔ)器單元的讀取操作期間被供應(yīng)給所述鎖存器的參考電壓相關(guān)聯(lián)；且

所述第二晶體管與所述第四電壓相關(guān)聯(lián)，所述第四電壓指示存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器單元中的邏輯狀態(tài)且在所述存儲(chǔ)器單元的所述讀取操作期間被供應(yīng)給所述鎖存器的所述第二節(jié)點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其進(jìn)一步包括：

在將所述第二晶體管的所述第二柵極偏置到所述第三電壓之前，將所述第二柵極偏置到所述第一電壓；以及

至少部分地基于將所述第二晶體管的所述第二柵極偏置到所述第一電壓，將第三節(jié)點(diǎn)預(yù)充電到第五電壓，其中所述第五電壓至少部分地基于所述第一電壓和所述第二晶體管的所述第二閾值電壓。