[發(fā)明專利]一種半導體設備及其晶圓傳輸腔室和晶圓傳輸方法

在審

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• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN111261565A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發(fā)明（設計）人: 張德群;陳國動
• 申請（專利權）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/67
• 代理公司: 北京思創(chuàng)畢升專利事務所 11218
• 代理人: 孫向民;廉莉莉

本發(fā)明公開了一種半導體設備及其晶圓傳輸腔室和晶圓傳輸方法，其中晶圓傳輸腔室包括，抽氣組件，用于從所述腔室本體中抽氣；標記檢測組件，位于所述腔室本體中，用于檢測晶圓上的對準標記；定位校準組件，位于所述腔室本體中，用于承載晶圓，帶動晶圓旋轉，并在所述標記檢測組件檢測到所述對準標記后，逐漸停止旋轉，使晶圓停止在一預設位置處。本發(fā)明的有益效果在于，在對晶圓傳輸腔室抽真空的過程中通過標記檢測組件檢測晶圓的對位標記，通過定位校準組件實現對晶圓的定位校準，將原來分步進行的步驟(晶圓定位校準和腔室抽真空)合并在一個步驟中同時進行，縮短了晶圓的傳輸時間，提高了機臺的使用效率。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體設備領域，更具體地，涉及一種半導體設備及其晶圓傳輸腔室和晶圓傳輸方法。

背景技術

隨著微電子技術的迅猛發(fā)展，晶圓加工的關鍵尺寸逐漸減小，而晶圓加工的復雜程度卻不斷增加，這使得晶圓加工的總體周期不斷變長。為了更加快速地得到客戶需要的晶圓產品，在不影響晶圓加工工藝的前提下，如何有效地較少晶圓的總體加工時間成為了提高晶圓加工效率的關鍵。晶圓的總體加工時間包括晶圓的工藝時間和晶圓的傳輸時間。因此，晶圓傳輸時間的提升對晶圓加工效率的提升十分重要。等離子刻蝕機是晶圓加工過程中的重要組成部分，晶圓傳輸時間長短直接影響機臺腔室的使用效率。

目前，晶圓傳輸系統(tǒng)主要由大氣傳輸模塊、大氣真空交換模塊、真空傳輸模塊組成。晶圓在大氣端傳輸過程中需要經過位置校準裝置進行位置校準，之后才會進入大氣真空交換模塊，最后進入真空端。晶圓在大氣端停留時間較長(需要進行位置校準)，這會很大的增加晶圓的總體傳輸時間，進而影響晶圓的傳輸效率。

因此，如何減少晶圓在機臺上的傳輸時間，是目前面臨的主要問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的是提出一種半導體設備及其晶圓傳輸腔室和晶圓傳輸方法，解決晶圓在傳輸系統(tǒng)中傳輸時間長的問題。

為實現上述目的，本發(fā)明提出了一種半導體設備中的晶圓傳輸腔室，包括腔室本體，還包括：

抽氣組件，用于從所述腔室本體中抽氣；

標記檢測組件，位于所述腔室本體中，用于檢測晶圓上的對準標記；

定位校準組件，位于所述腔室本體中，用于承載晶圓，帶動晶圓旋轉，并在所述標記檢測組件檢測到所述對準標記后，逐漸停止旋轉，使晶圓停止在一預設位置處。

作為可選方案，所述晶圓傳輸腔室還包括晶圓傳感器，位于所述腔室本體中，用于檢測所述定位校準組件上是否放置有晶圓。

作為可選方案，所述晶圓傳感器包括光電式接近開關或超聲波式接近開關。

作為可選方案，所述對準標記為設置在晶圓邊緣的缺口。

作為可選方案，所述標記檢測組件包括相對設置的激光發(fā)射器和激光接收器，所述激光發(fā)射器和所述激光接收器中的一個設置于所述腔室本體的頂壁，另一個設于所述腔室本體的底壁。

作為可選方案，所述定位校準組件包括：設置于所述腔室底壁上的可旋轉的支撐柱，以及與所述支撐柱固定連接并沿所述支撐柱周向分布的多個支撐桿，每個所述支撐桿的端部均設置有支撐墊。

作為可選方案，所述晶圓傳輸腔室還包括：

進氣組件，用于向所述腔室本體中通氣；

氣體壓力傳感器，用于檢測所述所述腔室本體內部的氣壓。

本發(fā)明還提出了一種半導體設備，包括上述的晶圓傳輸腔室。

作為可選方案，所述半導體設備還包括：驅動器、控制器，其中，

所述驅動器用于驅動定位校準組件旋轉或停止；