[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體設(shè)備及其晶圓傳輸腔室和晶圓傳輸方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010071454.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111261565A | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張德群;陳國(guó)動(dòng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/677 | 分類號(hào): | H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京思創(chuàng)畢升專利事務(wù)所 11218 | 代理人: | 孫向民;廉莉莉 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體設(shè)備 及其 傳輸 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備中的晶圓傳輸腔室,包括腔室本體,其特征在于,還包括:
抽氣組件,用于從所述腔室本體中抽氣;
標(biāo)記檢測(cè)組件,位于所述腔室本體中,用于檢測(cè)晶圓上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;
定位校準(zhǔn)組件,位于所述腔室本體中,用于承載晶圓,帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn),并在所述標(biāo)記檢測(cè)組件檢測(cè)到所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記后,逐漸停止旋轉(zhuǎn),使晶圓停止在一預(yù)設(shè)位置處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓傳輸腔室,其特征在于,還包括晶圓傳感器,位于所述腔室本體中,用于檢測(cè)所述定位校準(zhǔn)組件上是否放置有晶圓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓傳輸腔室,其特征在于,所述晶圓傳感器包括光電式接近開關(guān)或超聲波式接近開關(guān)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓傳輸腔室,其特征在于,所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為設(shè)置在晶圓邊緣的缺口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓傳輸腔室,其特征在于,所述標(biāo)記檢測(cè)組件包括相對(duì)設(shè)置的激光發(fā)射器和激光接收器,所述激光發(fā)射器和所述激光接收器中的一個(gè)設(shè)置于所述腔室本體的頂壁,另一個(gè)設(shè)于所述腔室本體的底壁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的晶圓傳輸腔室,其特征在于,所述定位校準(zhǔn)組件包括:設(shè)置于所述腔室底壁上的可旋轉(zhuǎn)的支撐柱,以及與所述支撐柱固定連接并沿所述支撐柱周向分布的多個(gè)支撐桿,每個(gè)所述支撐桿的端部均設(shè)置有支撐墊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的晶圓傳輸腔室,其特征在于,還包括:
進(jìn)氣組件,用于向所述腔室本體中通氣;
氣體壓力傳感器,用于檢測(cè)所述所述腔室本體內(nèi)部的氣壓。
8.一種半導(dǎo)體設(shè)備,其特征在于,包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的晶圓傳輸腔室。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體設(shè)備,其特征在于,還包括:驅(qū)動(dòng)器、控制器,其中,
所述驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)定位校準(zhǔn)組件旋轉(zhuǎn)或停止;
所述控制器用于,在所述定位校準(zhǔn)組件上承載有晶圓時(shí),控制所述抽氣組件對(duì)所述腔室進(jìn)行抽氣操作,同時(shí)控制所述驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)所述定位校準(zhǔn)組件旋轉(zhuǎn),以帶動(dòng)所述晶圓旋轉(zhuǎn),并控制所述標(biāo)記檢測(cè)組件檢測(cè)所述晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;在所述標(biāo)記檢測(cè)組件檢測(cè)到所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí),將晶圓此時(shí)的位置確定為初始位置;基于所述初始位置,控制所述驅(qū)動(dòng)器使所述定位校準(zhǔn)組件逐步停止旋轉(zhuǎn),使晶圓停止在一預(yù)設(shè)位置處。
10.一種晶圓傳輸方法,應(yīng)用于權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的晶圓傳輸腔室,其特征在于,所述方法包括:
將晶圓放置于所述定位校準(zhǔn)組件上;
通過(guò)所述抽氣組件對(duì)所述腔室本體進(jìn)行抽氣操作,同時(shí)使所述定位校準(zhǔn)組件帶動(dòng)所述晶圓旋轉(zhuǎn),并通過(guò)所述標(biāo)記檢測(cè)組件檢測(cè)所述晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;
當(dāng)所述標(biāo)記檢測(cè)組件檢測(cè)到所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記時(shí),使所述定位校準(zhǔn)組件逐漸停止旋轉(zhuǎn),并使晶圓停止在一預(yù)設(shè)位置處。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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