[發(fā)明專利]半導體存儲裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010071395.X
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN112447902A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大出裕之
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287
• 代理人: 張世俊

本發(fā)明的實施方式提供一種耗電較低的半導體存儲裝置。實施方式的半導體存儲裝置具備：第1配線及第2配線，在第1方向上排列，且在與第1方向交叉的第2方向上延伸；第3配線，設(shè)置在第1配線及第2配線之間，且在與第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸；第1相變層，設(shè)置在第1配線與第3配線之間；第1導電層，設(shè)置在第1相變層的第1配線側(cè)的面；第2導電層，設(shè)置在第1相變層的第3配線側(cè)的面；第2相變層，設(shè)置在第3配線與第2配線之間；第3導電層，設(shè)置在第2相變層的第3配線側(cè)的面；以及第4導電層，設(shè)置在第2相變層的第2配線側(cè)的面。第1導電層及第4導電層的導熱率大于第2導電層及第3導電層的導熱率、或小于第2導電層及第3導電層的導熱率。

[相關(guān)申請案]

本申請案享有以日本專利申請案2019-161102號(申請日：2019年9月4日)作為基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

以下所記載的實施方式涉及一種半導體存儲裝置。

背景技術(shù)

已知有一種半導體存儲裝置，具備：第1配線及第2配線，在第1方向上排列，且在與第1方向交叉的第2方向上延伸；第3配線，設(shè)置在第1配線及第2配線之間，且在與第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸；第1相變層，設(shè)置在第1配線與第3配線之間；以及第2相變層，設(shè)置在第3配線與第2配線之間。第1相變層及第2相變層例如包含鍺(Ge)、銻(Sb)及碲(Te)等。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的問題在于提供一種耗電較低的半導體存儲裝置。

一實施方式的半導體存儲裝置具備：第1配線及第2配線，在第1方向上排列，且在與第1方向交叉的第2方向上延伸；第3配線，設(shè)置在第1配線及第2配線之間，且在與第1方向及第2方向交叉的第3方向上延伸；第1相變層，設(shè)置在第1配線與第3配線之間；第1導電層，設(shè)置在第1相變層的第1配線側(cè)的面；第2導電層，設(shè)置在第1相變層的第3配線側(cè)的面；第2相變層，設(shè)置在第3配線與第2配線之間；第3導電層，設(shè)置在第2相變層的第3配線側(cè)的面；以及第4導電層，設(shè)置在第2相變層的第2配線側(cè)的面。第1導電層及第4導電層的導熱率大于第2導電層及第3導電層的導熱率、或小于第2導電層及第3導電層的導熱率。

附圖說明

圖1是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的一部分構(gòu)成的示意性電路圖。

圖2是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的一部分構(gòu)成的示意性立體圖。

圖3(a)、(b)是表示第1實施方式的半導體存儲裝置的一部分構(gòu)成的示意性剖視圖。

圖4(a)、(b)是表示第2實施方式的半導體存儲裝置的一部分構(gòu)成的示意性剖視圖。

圖5(a)、(b)是表示第3實施方式的半導體存儲裝置的一部分構(gòu)成的示意性剖視圖。

圖6(a)、(b)是表示第4實施方式的半導體存儲裝置的一部分構(gòu)成的示意性剖視圖。

圖7(a)、(b)是表示第5實施方式的半導體存儲裝置的一部分構(gòu)成的示意性剖視圖。

圖8(a)、(b)是表示第6實施方式的半導體存儲裝置的一部分構(gòu)成的示意性剖視圖。

圖9(a)、(b)是表示第7實施方式的半導體存儲裝置的一部分構(gòu)成的示意性剖視圖。

圖10(a)、(b)是表示第8實施方式的半導體存儲裝置的一部分構(gòu)成的示意性剖視圖。

具體實施方式

接下來，參照附圖對實施方式的半導體存儲裝置進行詳細說明。

此外，以下的實施方式只不過為一例，并非意欲限定本發(fā)明而例示。