[發明專利]半導體存儲裝置在審
| 申請號： | 202010071395.X | 申請日： | 2020-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN112447902A | 公開（公告）日： | 2021-03-05 |
| 發明（設計）人： | 大出裕之 | 申請（專利權）人： | 鎧俠股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 張世俊 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 裝置 | ||
1.一種半導體存儲裝置，具備：
第1配線及第2配線，在第1方向上排列，且在與所述第1方向交叉的第2方向上延伸；
第3配線，設置在所述第1配線及所述第2配線之間，且在與所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸；
第1相變層，設置在所述第1配線與所述第3配線之間；
第1導電層，設置在所述第1相變層的所述第1配線側的面；
第2導電層，設置在所述第1相變層的所述第3配線側的面；
第2相變層，設置在所述第3配線與所述第2配線之間；
第3導電層，設置在所述第2相變層的所述第3配線側的面；以及
第4導電層，設置在所述第2相變層的所述第2配線側的面；且
所述第1導電層及所述第4導電層的導熱率大于所述第2導電層及所述第3導電層的導熱率、或小于所述第2導電層及所述第3導電層的導熱率。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中
所述第1導電層及所述第4導電層、或所述第2導電層及所述第3導電層具備在所述第1方向上交替地排列且導熱率不同的多個第1膜及多個第2膜。
3.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其具備：
第1非線性元件層，設置在所述第1配線及所述第1導電層之間；以及
第2非線性元件層，設置在所述第3配線及所述第3導電層之間。
4.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其具備：
第3非線性元件層，設置在所述第1配線及所述第1導電層之間；以及
第4非線性元件層，設置在所述第2配線及所述第4導電層之間。
5.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其具備：
第5非線性元件層，設置在所述第3配線及所述第2導電層之間；以及
第6非線性元件層，設置在所述第3配線及所述第3導電層之間。
6.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中
所述第1導電層及所述第4導電層的導熱率小于所述第2導電層及所述第3導電層的導熱率，或者所述第1導電層及所述第4導電層在所述第1方向上的厚度大于所述第2導電層及所述第3導電層在所述第1方向上的厚度，且
在寫入動作中，所述第1配線及所述第2配線的至少一個的電壓小于所述第3配線的電壓。
7.根據權利要求1所述的半導體存儲裝置，其中
所述第1導電層及所述第4導電層的導熱率大于所述第2導電層及所述第3導電層的導熱率，或者所述第1導電層及所述第4導電層在所述第1方向上的厚度小于所述第2導電層及所述第3導電層在所述第1方向上的厚度，且
在寫入動作中，所述第1配線及所述第2配線的至少一個的電壓大于所述第3配線的電壓。
8.一種半導體存儲裝置，具備：
第1配線及第2配線，在第1方向上排列，且在與所述第1方向交叉的第2方向上延伸；
第3配線，設置在所述第1配線及所述第2配線之間，且在與所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸；
第1相變層，設置在所述第1配線與所述第3配線之間；
第1導電層，設置在所述第1相變層的所述第1配線側的面；
第2導電層，設置在所述第1相變層的所述第3配線側的面；
第2相變層，設置在所述第3配線與所述第2配線之間；
第3導電層，設置在所述第2相變層的所述第3配線側的面；以及
第4導電層，設置在所述第2相變層的所述第2配線側的面；且
在所述第1方向上，所述第1導電層及所述第4導電層的厚度大于所述第2導電層及所述第3導電層的厚度、或小于所述第2導電層及所述第3導電層的厚度。
9.根據權利要求8所述的半導體存儲裝置，其具備：
第1非線性元件層，設置在所述第1配線及所述第1導電層之間；以及
第2非線性元件層，設置在所述第3配線及所述第3導電層之間。
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