[發(fā)明專利]圖像顯示裝置以及圖像顯示元件的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010071004.4 | 申請日: | 2016-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN111261639A | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 井口勝次 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/15;G09G3/32 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產(chǎn)權代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家歡 |
| 地址: | 日本國大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像 顯示裝置 以及 顯示 元件 制造 方法 | ||
襯底基板包括:具有第一主面(110a)和第二主面(110b)的第一基板(110);以及配設在第一主面或者第二主面上的第一配線部件。像素基板包括:具有第三主面(201a)和第四主面(201b)的第二基板(201);搭載在第三主面上的、多個發(fā)光元件(202)、驅(qū)動器IC(205)以及外部連接端子;以及配設在第三主面或者第四主面上的第二配線部件(206)。驅(qū)動器IC用于驅(qū)動多個發(fā)光元件。外部連接端子用于接收從像素基板外部供給的輸入信號。第二基板(201)與第一基板(110)以第一主面與第四主面對置的方式層疊配置。第二配線部件通過通孔(215)與第一配線部件電連接。
技術領域
本發(fā)明涉及將多個像素部二維地排列而成的圖像顯示裝置。
本申請針對2015年9月11日提出申請的日本特愿2015-179405號而主張優(yōu)先權利益,通過參照該申請,從而將其內(nèi)容全部包含于本文中。
背景技術
作為平面型的圖像顯示裝置(以下,也稱作顯示器),已知液晶方式、有機EL(Electro Luminescence:電致發(fā)光)方式以及無機EL方式。
就液晶方式而言,由于使用液晶快門以及濾色器通過來自背光的白色光形成圖像,所以對比度受到限制。另外,由于光的利用效率低,所以存在耗電增高的趨勢。進而,由于紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的濾色器的透過區(qū)域?qū)挘c鄰接的區(qū)域存在重疊,所以色域變窄。
與此相對,在對比度、耗電以及色純度方面,有機EL方式勝過液晶方式。但是,由于與液晶方式相比制造困難,所以還沒有達到規(guī)范的銷售。此外,最近,組合了白色EL和濾色器的有機EL顯示器開始銷售,其對比度得到改善,但關于色域和耗電卻沒有看到較大的改善。
無機EL方式是在畫面上鋪滿使用化合物半導體形成的使發(fā)光RGB各色的發(fā)光元件來形成圖像的方式。無機EL顯示器正在朝向賽馬場或者體育場等使用超大型顯示器的發(fā)展實用化。例如,在2012年美國舉辦的國際家電展中,展示了叫做“Crystal LED Display”的55英寸全高清標準的原型機(例如參照非專利文獻1)。
就液晶顯示器和有機EL顯示器而言,由于在玻璃基板上形成薄膜晶體管,并在其上形成液晶或有機EL層,所以顯示器越是大型工序越復雜,存在成品率降低且價格上升的問題。此外,為了確保在進行薄膜處理上必需的耐熱性和強度,厚厚的玻璃基板是必需的,所以存在顯示器的重量增加的問題。針對這些問題,也進行了在柔性的樹脂基板上形成顯示器這樣的嘗試,但現(xiàn)狀是與商品化相距甚遠。另外,還開始了在樹脂基板上形成薄膜晶體管的嘗試,但尚未達到能經(jīng)受實際應用的水平。
另一方面,就無機EL顯示器而言,由于在性能上優(yōu)于液晶顯示器和有機EL顯示器,所以迄今為止提出了各種制造方法。但尚未實現(xiàn)適合大量生產(chǎn)的實用結構,尚未達到量產(chǎn)化。
作為無機EL顯示器的制造方法,例如在日本專利第4082242號公報(專利文獻1)公開了如下的方法:將LED(Light Emitting Device:發(fā)光器件)芯片配置在臨時保持基板上,然后將LED芯片嵌入轉(zhuǎn)印基板的粘接層,使粘接層固化之后,形成配線層,再次貼設至支撐基板并剝下上述轉(zhuǎn)印基板,然后在上述粘接層上開設接觸孔,形成另一配線,由此在上述支撐基板上形成LED芯片陣列。
另外,在日本專利第4491948號公報(專利文獻2)公開了如下的方法:通過使用激光照射剝離技術從排列LED芯片而得到的微芯片陣列進行間隔轉(zhuǎn)印,從而在另一基板上形成間距擴大為芯片尺寸的幾乎整數(shù)倍的LED芯片排列,并將其再次轉(zhuǎn)印至支撐基板上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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