[發明專利]用于制造顯示面板的新型掩模版及其參數確定方法

在審

• 申請號: 202010068083.3
• 申請日: 2020-01-21
• 公開（公告）號: CN111258172A
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 郝蕓蕓;韋亞一;董立松;陳睿
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F1/70
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 付婧

本申請公開一種用于制造顯示面板的新型掩模版及其參數確定方法，該新型掩模版中，透光區域中包括衍射過渡區域，衍射過渡區域與遮光區域連接，衍射過渡區域中包括一組或多組間隔排列的過渡圖形；過渡圖形與透光區域和遮光區域相接的臨界線平行；衍射過渡區域中被過渡圖形覆蓋的區域不透光。本申請在掩模版邊緣的衍射過渡區域中設置不透光的過渡圖形，過渡圖形能增加掩模版的衍射區域寬度，調節多曝光區域的曝光量，使掩模版邊緣的曝光劑量均勻分布，達到良好的曝光效果。通過增加過渡圖形和邊緣距離調整，達到較好的曝光劑量分布，同時還可以達到削弱設備步進精度3σ值對拼接影響的效果，提升了面板的顯示效果。

技術領域

本申請涉及半導體面板制造領域，具體涉及一種用于制造顯示面板的新型掩模版及其參數確定方法。

背景技術

當前在大型顯示面板的制造領域中，光刻工藝通常采用波長為365納米的I線曝光系統。I線曝光系統通過光學曝光的方式將掩模版上的圖形轉移至涂覆有光刻膠的基底上。光刻膠經過光學曝光記錄下掩模版上的圖形信息。

相關技術在圖形的轉移曝光過程中，為了實現大面積面板的制造，需要利用有限區域的掩模版進行多次拼接曝光。掩模版的中心為大量需要轉移的圖形，掩模版的邊緣覆蓋有不透光鉻層，邊緣內側為透光區域。

相關技術簡單的對掩模版進行幾何拼接，由于掩模版的邊緣在光學曝光過程中存在衍射現象，無法獲得穩定良好的拼接效果和曝光質量，導致基底上的光刻膠經過曝光顯影工藝后，存在拼接區域的邊緣處曝光量不足的問題，基底上的光刻膠會出現部分的凸起或凹陷。

發明內容

為解決以上問題，本申請提供一種用于制造顯示面板的新型掩模版及其參數確定方法，在掩模版邊緣的衍射過渡區域中設置不透光的過渡圖形，過渡圖形能增加掩模版的衍射區域寬度，調節多曝光區域的曝光量，使掩模版邊緣的曝光劑量均勻分布，達到良好的曝光效果。

第一方面，本申請實施例提供了一種用于制造顯示面板的新型掩模版，包括透光區域和遮光區域，

所述透光區域中包括衍射過渡區域，所述衍射過渡區域與所述遮光區域連接，所述衍射過渡區域中包括一組或多組間隔排列的過渡圖形；

所述過渡圖形與所述透光區域和所述遮光區域相接的臨界線平行；

所述衍射過渡區域中被所述過渡圖形覆蓋的區域不透光。

在本申請一些實施例中，所述衍射過渡區域中透光區域和所述過渡圖形按照預設寬度比例間隔分布，間隔排列的所述過渡圖形用于增加所述新型掩模版的衍射區域范圍。

在本申請一些實施例中，所述過渡圖形為線形的長條圖形。

第二方面，本申請實施例提供了一種上述第一方面所述的新型掩模版的參數確定方法，所述方法包括：

確定第一掩模版對應的邊緣衍射區域寬度；

通過仿真方式分別在所述第一掩模版中添加按照不同候選寬度比例排布的過渡圖形序列，得到多個第二掩模版；

根據所述邊緣衍射區域寬度和多個所述第二掩模版，獲得使曝光量分布最均勻的寬度比例和掩模移動距離。

在本申請一些實施例中，所述確定第一掩模版對應的邊緣衍射區域寬度，包括：

通過曝光系統對拼接的第一掩模版進行單次曝光；

獲取所述單次曝光對應的曝光量分布曲線；

根據所述曝光量分布曲線，確定所述第一掩模版中包括的多曝光區域；

將所述多曝光區域的寬度確定為所述第一掩模版對應的邊緣衍射區域寬度。