[發明專利]顯示裝置、陣列基板、薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 202010066864.9
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN113140637A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 貴炳強;劉珂;黃鵬;高濤
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/34;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

本公開是關于一種顯示裝置、陣列基板、薄膜晶體管及其制造方法，涉及顯示技術領域。該薄膜晶體管包括有源層、柵絕緣層、柵極、介電層、源極和漏極。有源層具有溝道區、位于溝道區兩側的摻雜區以及分隔于摻雜區和溝道區之間的緩沖區，且緩沖區的摻雜濃度小于摻雜區。柵絕緣層設于有源層一側，且覆蓋溝道區和緩沖區，并露出摻雜區。柵極設于柵絕緣層背離有源層的表面，且柵極在有源層上的投影與溝道區重合。介電層覆蓋柵極、柵絕緣層和有源層；源極和漏極設于介電層背離有源層的表面，且位于溝道區兩側，并連接于不同的摻雜區。

技術領域

本公開涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種顯示裝置、陣列基板、薄膜晶體管及薄膜晶體管的制造方法。

背景技術

在顯示面板中，薄膜晶體管(TFT)是驅動像素發光的重要電路器件，現有的薄膜晶體管一般分為底柵結構(bottom-gate)和頂柵結構(top-gate)兩種類型，且頂柵結構應用較為廣泛。但是，在薄膜晶體管制造完成后，顯示面板還需要繼續進行后續的其它制程，而其中的一些高溫制程會使薄膜晶體管存在閾值電壓漂移的問題，容易造成顯示面板發光不均等問題，特別是對OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機電致發光二極管)顯示面板而言，閾值電壓漂移的問題尤其嚴重。

需要說明的是，在上述背景技術部分公開的信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

本公開的目的在于克服上述現有技術的不足，提供一種顯示裝置、陣列基板、薄膜晶體管及薄膜晶體管的制造方法，可改善閾值電壓漂移現象。

根據本公開的一個方面，提供一種薄膜晶體管，包括：

有源層，具有溝道區、位于所述溝道區兩側的摻雜區以及分隔于所述摻雜區和所述溝道區之間的緩沖區，且所述緩沖區的摻雜濃度小于所述摻雜區；

柵絕緣層，設于所述有源層一側，且覆蓋所述溝道區和所述緩沖區，并露出所述摻雜區；

柵極，設于所述柵絕緣層背離所述有源層的表面，且所述柵極在所述有源層上的投影與所述溝道區重合；

介電層，覆蓋所述柵極、所述柵絕緣層和所述有源層；

源極和漏極，設于所述介電層背離所述有源層的表面，且位于所述溝道區兩側，所述源極和所述漏極分別連接于不同的摻雜區。

在本公開的一種示例性實施例中，所述緩沖區包括對稱分布于所述溝道區兩側的第一緩沖區和第二緩沖區。

在本公開的一種示例性實施例中，所述有源層的材料包括金屬氧化物。

在本公開的一種示例性實施例中，所述緩沖區的寬度為0.5μm-1.5μm。

根據本公開的一個方面，提供一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

在襯底一側形成有源層，所述有源層具有溝道區、位于溝道區兩側的待摻雜區以及分隔于所述待摻雜區和所述溝道區之間的緩沖區；

在所述有源層背離所述襯底的一側形成柵絕緣層和柵極，所述柵絕緣層覆蓋所述溝道區和所述緩沖區且露出所述待摻雜區；所述柵極位于所述柵絕緣層背離所述襯底的表面，且所述柵極在所述有源層的投影與所述溝道區重合；

對所述待摻雜區進行摻雜，形成摻雜區，所述緩沖區的摻雜濃度小于所述摻雜區；

形成覆蓋所述柵極、所述柵絕緣層和所述摻雜區的介電層；

在所述介電層背離所述有源層的表面形成源極和漏極，所述源極和所述漏極位于所述溝道區兩側，并使所述源極和所述漏極分別連接于不同的摻雜區。

在本公開的一種示例性實施例中，在所述有源層背離所述襯底的一側形成柵絕緣層和柵極，包括：