[發明專利]顯示裝置、陣列基板、薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 202010066864.9
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN113140637A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 貴炳強;劉珂;黃鵬;高濤
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/34;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 王輝;闞梓瑄

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

有源層，具有溝道區、位于所述溝道區兩側的摻雜區以及分隔于所述摻雜區和所述溝道區之間的緩沖區，且所述緩沖區的摻雜濃度小于所述摻雜區；

柵絕緣層，設于所述有源層一側，且覆蓋所述溝道區和所述緩沖區，并露出所述摻雜區；

柵極，設于所述柵絕緣層背離所述有源層的表面，且所述柵極在所述有源層上的投影與所述溝道區重合；

介電層，覆蓋所述柵極、所述柵絕緣層和所述有源層；

源極和漏極，設于所述介電層背離所述有源層的表面，且位于所述溝道區兩側，所述源極和所述漏極分別連接于不同的摻雜區。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述緩沖區包括對稱分布于所述溝道區兩側的第一緩沖區和第二緩沖區。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的材料包括金屬氧化物。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述緩沖區的寬度為0.5μm-1.5μm。

5.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

在襯底一側形成有源層，所述有源層具有溝道區、位于溝道區兩側的待摻雜區以及分隔于所述待摻雜區和所述溝道區之間的緩沖區；

在所述有源層背離所述襯底的一側形成柵絕緣層和柵極，所述柵絕緣層覆蓋所述溝道區和所述緩沖區且露出所述待摻雜區；所述柵極位于所述柵絕緣層背離所述襯底的表面，且所述柵極在所述有源層的投影與所述溝道區重合；

對所述待摻雜區進行摻雜，形成摻雜區，所述緩沖區的摻雜濃度小于所述摻雜區；

形成覆蓋所述柵極、所述柵絕緣層和所述摻雜區的介電層；

在所述介電層背離所述有源層的表面形成源極和漏極，所述源極和所述漏極位于所述溝道區兩側，并使所述源極和所述漏極分別連接于不同的摻雜區。

6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述有源層背離所述襯底的一側形成柵絕緣層和柵極，包括：

在所述有源層背離所述襯底的表面依次層疊柵絕緣層和柵金屬層，所述柵絕緣層和所述柵金屬層在所述有源層的投影重合，且覆蓋所述緩沖區和所述溝道區，并露出所述待摻雜區；

對所述柵金屬層進行圖案化，形成柵極，所述柵極在所述有源層的投影與所述溝道區重合。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，對所述柵金屬層進行圖案化，包括：

在所述有源層背離所述襯底的一側形成覆蓋所述待摻雜區的光阻層，所述光阻層露出所述柵金屬層；

對所述柵金屬層進行刻蝕，形成柵極，所述柵極在所述有源層的投影與所述溝道區重合。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述有源層背離所述襯底的一側形成覆蓋所述待摻雜區的光阻層，包括：

在所述有源層背離所述襯底的一側形成覆蓋所述待摻雜區的光阻層；

對所述光阻層進行灰化處理，以露出所述柵金屬層，且所述光阻層的厚度不小于所述柵絕緣層的厚度；

對所述柵金屬層進行刻蝕，形成柵極，包括：

利用刻蝕液對所述柵金屬層進行刻蝕，使所述柵金屬層在所述有源層的投影與所述溝道區重合，得到柵極。

9.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述有源層背離所述襯底的一側形成柵絕緣層和柵極，包括：

在所述有源層背離所述襯底的表面形成柵絕緣層，所述柵絕緣層覆蓋所述溝道區和所述緩沖區且露出所述待摻雜區；

在所述柵絕緣層背離所述襯底的表面形成柵極，所述柵極在所述有源層的投影與所述溝道區重合。