[發明專利]微型LED發光裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010066806.6
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN113130459A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 陳俊宏;彭眥杰;呂格維
• 申請（專利權）人: 東貝光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/58;H01L27/15
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 李懷周

1.一種微型LED發光裝置，其特征在于，包含：

至少一發光元件，該發光元件上設置有矩陣排列為2*2以上之多個微型LED，其中相鄰之所述多個微型LED彼此間皆具有一間距而整體形成一格狀溝渠，且所述多個微型LED之高度為H；及

一阻障層，具有一上端部及一下端部，其中該上端部光線穿透率大于等于85％、該下端部光線穿透率小于等于30％；該下端部填充于該格狀溝渠后之高度為L，且0.7H≦L≦1.2H，該上端部則覆蓋于該下端部上方，且該阻障層與所述多個微型LED之間不具有間隙。

2.根據權利要求1所述的LED發光裝置，其特征在于，該阻障層為受壓后可形變材質，且該阻障層利用一不透明料摻雜于一透明材質經沉降后，形成光線穿透率不同之該下端部與該上端部。

3.根據權利要求2所述的LED發光裝置，其特征在于，該不透明料具有光線吸收或光線反射之光學特性。

4.根據權利要求3所述的LED發光裝置，其特征在于，該透明材質為PMMA。

5.根據權利要求4所述的LED發光裝置，其特征在于，所述多個微型LED之高度小于等于為130μm。

6.根據權利要求1所述的LED發光裝置，其特征在于，該阻障層之下端部及該上端部依序利用噴涂方式設置。

7.根據權利要求1所述的LED發光裝置，其特征在于，該阻障層之下端部利用噴涂方式設置，再將該上端部覆蓋于該下端部上方后，利用壓合方式固定設置。

8.根據權利要求1所述的LED發光裝置，其特征在于，該發光元件為多個設置時，該格狀溝渠包含所述多個發光元件并排設置之鄰接區域。

9.根據權利要求8所述的LED發光裝置，其特征在于，該阻障層為受壓后可形變材質，且該阻障層利用一不透明料摻雜于一透明材質經沉降后，形成光線穿透率不同之該下端部與該上端部。

10.根據權利要求9所述的制造方法，其特征在于，該不透明料具有光線吸收或光線反射之光學特性。

11.根據權利要求10所述的LED發光裝置，其特征在于，該透明材質為PMMA。

12.根據權利要求11所述的LED發光裝置，其特征在于，所述多個微型LED之高度小于等于130μm。

13.根據權利要求8所述的LED發光裝置，其特征在于，該阻障層之下端部及該上端部依序利用噴涂方式設置。

14.根據權利要求8所述的LED發光裝置，其特征在于，該阻障層之下端部利用噴涂方式設置，再將該上端部覆蓋于該下端部上方后，利用壓合方式固定設置。

15.一種微型LED發光裝置之制造方法，其特征在于，于抽真空之一腔體內進行制程工序，包含：

提供至少一發光元件，該發光元件上設置有矩陣排列為2*2以上之多個微型LED，該發光元件設于該腔體內之一基座上，且相鄰之所述多個微型LED彼此間具有一間距而整體形成一格狀溝渠；

設置一阻障層于所述多個微型LED上，其中該阻障層具有一上端部與一下端部，且該上端部光線穿透率大于等于85％、該下端部光線穿透率小于等于30％；及

通過一熱壓件直接或間接加壓于該阻障層使之產生形變，進而使該阻障層之該下端部流動至該格狀溝渠內，且該下端部填充于該格狀溝渠后之高度為L，并滿足0.7H≦L≦1.2H關系式，該上端部則覆蓋于該下端部上方，而使該阻障層與所述多個微型LED之間不具有間隙。