[發明專利]一種粗銻無殘極電解分離銻和金的方法

有效

• 申請號: 202010062458.5
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111074303B
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 王成彥;揭曉武;陳永強;張文娟;張永祿
• 申請（專利權）人: 北京科技大學
• 主分類號: C25C3/34
• 分類號: C25C3/34;C25C7/02;C25C7/06;C22C1/02;C22C12/00
• 代理公司: 北京市廣友專利事務所有限責任公司 11237
• 代理人: 張仲波

1.一種粗銻無殘極電解分離銻和金的方法，其特征在于，所述方法的步驟依次包括：

(1)配料：將粗銻按比例配入還原劑、覆蓋劑；

(2)還原熔鑄：將步驟(1)的混合料熔化鑄塊/板；

(3)銻陽極裝框：將步驟(2)澆鑄的銻陽極板/塊裝入陽極框；

(4)電解精煉：將步驟(3)的加銻陽極框在鹽酸-氯化鈉或鹽酸-氯化鈣體系下，采用永久陰極電解精煉，產出陰極銻和富貴金屬陽極泥；

(5)熔化鑄錠：將步驟(4)產出的陰極銻剝板后按比例配入覆蓋劑，熔化鑄錠，產出國標2#銻；

步驟(1)中所述粗銻為毛銻或貴銻合金；

步驟(1)的配料過程，所述還原劑為配入重量比占粗銻量0.5～3％的煤或焦炭，提供保護性氣氛；所述覆蓋劑為補充重量比占粗銻量0.5～2％的熔鑄堿渣作為保護渣，保護渣循環利用，定期部分開路；

步驟(3)的銻陽極裝框過程，所述的陽極框為鈦板+鈦網制作而成，鈦板/網厚0.5～3mm，鈦網孔徑5～20mm；

步驟(5)的熔化鑄錠過程，補充0.5～2％的覆蓋劑，控制熔化溫度為750～900℃，銻液鑄錠溫度為680～800℃，所述覆蓋劑為氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀的一種或多種。

2.根據權利要求1所述的一種粗銻無殘極電解分離銻和金的方法，其特征在于，所述的步驟(2)的還原熔鑄過程，控制熔化溫度為750～900℃；銻液澆鑄溫度為680～800℃。

3.根據權利要求1所述的一種粗銻無殘極電解分離銻和金的方法，其特征在于，所述的步驟(4)的電解精煉過程，電解液游離鹽酸濃度20～40g/L、Sb³⁺濃度20～60g/L、氯化鈉或氯化鈣濃度100～200g/L、并按粗銻陽極板/塊中銀含量，加入理論量1.0～1.5倍的沉銀劑；同級距100～160mm；電解液溫度30～50℃；電流密度100～300A/m²。

4.根據權利要求3所述的一種粗銻無殘極電解分離銻和金的方法，其特征在于，所述的沉銀劑為碘化鈉、碘化鉀、碘化鈣的一種或多種。

5.根據權利要求3所述的一種粗銻無殘極電解分離銻和金的方法，其特征在于，電解采用的永久陰極為鈦板或鈦網。