[發(fā)明專利]一種微型發(fā)光二極管的轉移方法及轉運基板

在審

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• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111244004A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 黃安;朱景輝;郁杰;張良玉;王俊星;朱充沛
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/683;H01L27/15
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種微型發(fā)光二極管的轉移方法，其特征在于，包括以下步驟；

S1：將帶有凸起狀凹槽的轉運基板和暫態(tài)基板上的微型發(fā)光二極管對位貼合；

S2：將轉運基板和暫態(tài)基板上的微型發(fā)光二極管同步翻轉至超聲振蕩溶液中進行超聲振蕩，微型發(fā)光二極管受振蕩剝離暫態(tài)基板；

S3：移走暫態(tài)基板，取出轉運基板，烘干轉運基板及其凹槽內(nèi)的微型發(fā)光二極管；

S4：顯示背板與轉運基板凹槽內(nèi)的微型發(fā)光二極管對位貼合，對顯示背板施壓，對轉運基板加熱，使顯示背板上的電極與微型發(fā)光二極管的底部電極鍵合；

S5：分離轉運基板和微型發(fā)光二極管。

2.根據(jù)權利要求1所述的微型發(fā)光二極管的轉移方法，其特征在于，在步驟S1之前，還包括以下步驟：

S01：利用涂膠、曝光、顯影和刻蝕工藝形成具有多個陣列設置且呈凸起狀的凹槽的轉運基板；

S02：在暫態(tài)基板的外延層上利用刻蝕工藝形成底部具有底部電極的微型發(fā)光二極管。

3.根據(jù)權利要求2所述的微型發(fā)光二極管的轉移方法，其特征在于，步驟S01具體包括以下步驟：

S011：在襯底基板上利用涂膠、曝光、顯影和刻蝕工藝形成多個陣列設置的凸臺；

S012：在凸臺上利用涂膠、曝光、顯影和刻蝕工藝形成凹槽。

4.一種轉運基板，用于權利要求1-3任一所述的微型發(fā)光二極管的轉移方法，其特征在于，包括襯底基板以及多個位于襯底基板上方陣列設置且呈凸起狀的凹槽。

5.根據(jù)權利要求4所述的轉運基板，其特征在于，所述凹槽的深度小于微型發(fā)光二極管的高度，所述凹槽的口徑大于微型發(fā)光二極管的寬度。

6.根據(jù)權利要求4所述的轉運基板，其特征在于，所述凹槽的形狀為圓形或方形。

7.根據(jù)權利要求4所述的轉運基板，其特征在于，所述凹槽的形狀具有缺口。

8.根據(jù)權利要求4所述的轉運基板，其特征在于，所述轉運基板的材質(zhì)為玻璃或不銹鋼。