[發(fā)明專利]一種微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法及轉(zhuǎn)運(yùn)基板

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010061191.8
• 申請(qǐng)日: 2020-01-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111244004A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃安;朱景輝;郁杰;張良玉;王俊星;朱充沛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓平板顯示科技有限公司;南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司;南京華東電子信息科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/677
• 分類號(hào): H01L21/677;H01L21/683;H01L27/15
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

本發(fā)明提出一種微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法及轉(zhuǎn)運(yùn)基板，涉及微型發(fā)光二極管領(lǐng)域，轉(zhuǎn)移方法包括以下步驟；S1：將帶有凸起狀凹槽的轉(zhuǎn)運(yùn)基板和暫態(tài)基板上的微型發(fā)光二極管對(duì)位貼合；S2：將轉(zhuǎn)運(yùn)基板和暫態(tài)基板上的微型發(fā)光二極管同步翻轉(zhuǎn)至超聲振蕩溶液中進(jìn)行超聲振蕩，微型發(fā)光二極管受振蕩剝離暫態(tài)基板；S3：移走暫態(tài)基板，取出轉(zhuǎn)運(yùn)基板，烘干轉(zhuǎn)運(yùn)基板及其凹槽內(nèi)的微型發(fā)光二極管；S4：顯示背板與轉(zhuǎn)運(yùn)基板凹槽內(nèi)的微型發(fā)光二極管對(duì)位貼合，對(duì)顯示背板施壓，對(duì)轉(zhuǎn)運(yùn)基板加熱，使顯示背板上的電極與微型發(fā)光二極管的底部電極鍵合；S5：分離轉(zhuǎn)運(yùn)基板和微型發(fā)光二極管。本發(fā)明通過(guò)具有凹槽結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)運(yùn)基板對(duì)微型發(fā)光二極管進(jìn)行轉(zhuǎn)移，提高了轉(zhuǎn)移成功率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于微型發(fā)光二極管領(lǐng)域，具體涉及一種微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法。

技術(shù)背景

微型器件(Micro LED)作為新一代顯示技術(shù)面臨的一個(gè)最主要的挑戰(zhàn)，就是如何將巨量的Micro LED器件植入目標(biāo)基板或是電路上以降低其制造成本，而此一環(huán)節(jié)被稱為巨量轉(zhuǎn)移。

傳統(tǒng)的巨量轉(zhuǎn)移一般是使用黏附性膠吸頭對(duì)Micro LED進(jìn)行吸附轉(zhuǎn)移，在MicroLED被轉(zhuǎn)移到顯示背板的過(guò)程中，將Micro LED轉(zhuǎn)移至顯示背板后，在將吸頭提起的過(guò)程中由于膠黏附性不好控制，很容易將吸頭上的膠殘留在Micro LED上方，導(dǎo)致Micro LED在后續(xù)制程過(guò)程中出現(xiàn)斷路。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，通過(guò)一個(gè)具有和微型發(fā)光二極管相匹配的凹槽結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)運(yùn)基板對(duì)微型發(fā)光二極管進(jìn)行轉(zhuǎn)移，提高了轉(zhuǎn)移成功率。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明公開(kāi)了一種微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟；

S1：將帶有凸起狀凹槽的轉(zhuǎn)運(yùn)基板和暫態(tài)基板上的微型發(fā)光二極管對(duì)位貼合；

S2：將轉(zhuǎn)運(yùn)基板和暫態(tài)基板上的微型發(fā)光二極管同步翻轉(zhuǎn)至超聲振蕩溶液中進(jìn)行超聲振蕩，微型發(fā)光二極管受振蕩剝離暫態(tài)基板；

S3：移走暫態(tài)基板，取出轉(zhuǎn)運(yùn)基板，烘干轉(zhuǎn)運(yùn)基板及其凹槽內(nèi)的微型發(fā)光二極管；

S4：顯示背板與轉(zhuǎn)運(yùn)基板凹槽內(nèi)的微型發(fā)光二極管對(duì)位貼合，對(duì)顯示背板施壓，對(duì)轉(zhuǎn)運(yùn)基板加熱，使顯示背板上的電極與微型發(fā)光二極管的底部電極鍵合；

S5：分離轉(zhuǎn)運(yùn)基板和微型發(fā)光二極管。

優(yōu)選地，在步驟S1之前，還包括以下步驟：

S01：利用涂膠、曝光、顯影和刻蝕工藝形成具有多個(gè)陣列設(shè)置且呈凸起狀的凹槽的轉(zhuǎn)運(yùn)基板；

S02：在暫態(tài)基板的外延層上利用刻蝕工藝形成底部具有底部電極的微型發(fā)光二極管。

優(yōu)選地，步驟S01具體包括以下步驟：

S011：在襯底基板上利用涂膠、曝光、顯影和刻蝕工藝形成多個(gè)陣列設(shè)置的凸臺(tái)；

S012：在凸臺(tái)上利用涂膠、曝光、顯影和刻蝕工藝形成凹槽。

本發(fā)明還公開(kāi)了一種轉(zhuǎn)運(yùn)基板，用于上述的微型發(fā)光二極管的轉(zhuǎn)移方法，包括襯底基板以及多個(gè)位于襯底基板上方陣列設(shè)置且呈凸起狀的凹槽。

優(yōu)選地，所述凹槽的深度小于微型發(fā)光二極管的高度，所述凹槽的口徑大于微型發(fā)光二極管的寬度。

優(yōu)選地，所述凹槽的形狀為圓形或方形。

優(yōu)選地，所述凹槽的形狀具有缺口。

優(yōu)選地，所述轉(zhuǎn)運(yùn)基板的材質(zhì)為玻璃或不銹鋼。

本發(fā)明能夠帶來(lái)以下至少一項(xiàng)有益效果：