[發明專利]封裝結構及其成型方法

在審

• 申請號: 202010060987.1
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN113140469A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 史海濤;林耀劍;周莎莎;何晨燁;陳建;陳雪晴
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

本發明涉及的一種封裝結構及其成型方法，所述成型方法包括步驟：在封裝模塊處形成至少兩個連接部；于所述封裝模塊上搭載一體化外連接框架結構，所述外連接框架結構的至少兩個外連接部分別連接所述至少兩個連接部，相鄰外連接部之間的連接梁朝遠離所述封裝模塊的一側凸伸于所述外連接部；形成包封所述外連接部的塑封層；減薄所述外連接框架結構及所述塑封層，以使得所述連接梁與所述外連接部斷開連接且所述外連接部暴露于所述塑封層。通過上述設置，可解決目前封裝結構中將封裝模塊中的連接部露出塑封層表面時帶來的工藝要求高、工藝復雜繁瑣等問題。

技術領域

本發明涉及封裝技術領域，尤其涉及一種封裝結構及其成型方法。

背景技術

在POP封裝和SIP封裝等封裝中，封裝模塊通常需要與其他外部模塊進行電性連接或導熱連接等連接。封裝模塊上形成塑封層之后，需要對塑封層再次加工，以將封裝模塊內用于外部連接的連接部露出塑封層表面。其中，封裝模塊可包括基板或芯片組件或兩者組合，連接部則可以是基板內嵌設的焊盤、芯片組件上的設置的散熱部或電性連接部等。

目前，業內通常有兩種工藝加工方法來露出焊盤這個電性連接部：如圖1所示，第一種工藝中，在局部塑封的POP封裝結構中，先對塑封層9激光開孔再植入兩顆金屬球或一顆大金屬球，金屬球21與基板的焊盤311電性連接，以滿足塑封層9表面的電性連接需求；如圖2所示，第二種工藝中，將銅塊22焊接至基板的焊盤311或在基板焊盤311生長形成銅柱22，使得銅塊或銅柱露出塑封層9表面，以滿足塑封層9表面的電性連接需求。

這兩種方法工藝繁瑣、工藝要求較高、成本較高，并且面臨焊盤燒焦、金屬球氧化、對位偏移、二次重融時位置偏移、金屬表面不平整等風險。同時，塑封層表面還需單獨加工以滿足芯片組件表面的各種連接需求，使得封裝結構整體加工工藝復雜繁瑣、不利于量產。

發明內容

本發明的目的在于提供一種封裝結構及其成型方法，以解決目前封裝結構中將封裝模塊中的連接部露出塑封層表面時帶來的工藝要求高、工藝復雜繁瑣等問題。

為了實現上述發明目的之一，本發明一實施方式提供一種封裝結構的成型方法，包括步驟：

在封裝模塊處形成至少兩個連接部；

于所述封裝模塊上搭載一體化外連接框架結構，所述外連接框架結構的至少兩個外連接部分別連接所述至少兩個連接部，相鄰外連接部之間的連接梁朝遠離所述封裝模塊的一側凸伸于所述外連接部；

形成包封所述外連接部的塑封層；

減薄所述外連接框架結構及所述塑封層，以使得所述連接梁與所述外連接部斷開連接且所述外連接部暴露于所述塑封層。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述方法還包括：將芯片組件連接至基板以形成所述封裝模塊，所述基板處的焊盤作為第一連接部，所述芯片組件處的散熱部作為第二連接部。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述方法還包括：將所述芯片組件處的電性連接部作為第三連接部。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述方法還包括：于所述連接部上設置互連結構，所述互連結構連接所述外連接部與所述連接部。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述方法還包括：形成包覆所述外連接框架結構的塑封層。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述方法還包括：對所述外連接框架結構及所述塑封層進行平面研磨或蝕刻，以完全除去所述連接梁。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述方法還包括：對金屬結構一體成型加工形成所述外連接框架結構，所述連接梁連接所有外連接部。

作為本發明一實施方式的進一步改進，所述方法還包括：彎折所述金屬結構的邊緣形成豎直延伸的金屬引腳，以作為第一外連接部。