[發明專利]封裝結構及其成型方法在審
| 申請號: | 202010060987.1 | 申請日: | 2020-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN113140469A | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發明(設計)人: | 史海濤;林耀劍;周莎莎;何晨燁;陳建;陳雪晴 | 申請(專利權)人: | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈曉敏 |
| 地址: | 214430 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 結構 及其 成型 方法 | ||
1.一種封裝結構的成型方法,其特征在于,包括步驟:
在封裝模塊處形成至少兩個連接部;
于所述封裝模塊上搭載一體化外連接框架結構,所述外連接框架結構的至少兩個外連接部分別連接所述至少兩個連接部,相鄰外連接部之間的連接梁朝遠離所述封裝模塊的一側凸伸于所述外連接部;
形成包封所述外連接部的塑封層;
減薄所述外連接框架結構及所述塑封層,以使得所述連接梁與所述外連接部斷開連接且所述外連接部暴露于所述塑封層。
2.根據權利要求1所述的封裝結構的成型方法,其特征在于,步驟“在封裝模塊處形成至少兩個連接部”具體包括:
將芯片組件連接至基板以形成所述封裝模塊,所述基板處的焊盤作為第一連接部,所述芯片組件處的散熱部作為第二連接部。
3.根據權利要求2所述的封裝結構的成型方法,其特征在于,在步驟“所述芯片組件處的散熱部作為第二連接部”之后,所述方法還包括:
將所述芯片組件處的電性連接部作為第三連接部。
4.根據權利要求1所述的封裝結構的成型方法,其特征在于,步驟“所述外連接框架結構的至少兩個外連接部分別連接所述至少兩個連接部”具體包括:
于所述連接部上設置互連結構,所述互連結構連接所述外連接部與所述連接部。
5.根據權利要求1所述的封裝結構的成型方法,其特征在于,步驟“形成包封所述外連接部的塑封層”具體包括:
形成包覆所述外連接框架結構的塑封層。
6.根據權利要求1所述的封裝結構的成型方法,其特征在于,步驟“減薄所述外連接框架結構及所述塑封層”具體包括:
對所述外連接框架結構及所述塑封層進行平面研磨或蝕刻,以完全除去所述連接梁。
7.根據權利要求1所述的封裝結構的成型方法,其特征在于,在步驟“于所述封裝模塊上搭載一體化外連接框架結構”之前,所述方法還包括:
對金屬結構一體成型加工形成所述外連接框架結構,所述連接梁連接所有外連接部。
8.根據權利要求7所述的封裝結構的成型方法,其特征在于,步驟“對金屬結構一體成型加工形成所述外連接框架結構”具體包括:
彎折所述金屬結構的邊緣形成豎直延伸的金屬引腳,以作為第一外連接部。
9.根據權利要求7所述的封裝結構的成型方法,其特征在于,步驟“對金屬結構一體成型加工形成所述外連接框架結構”具體包括:
沖壓所述金屬結構的上表面形成凹陷部,所述凹陷部的下端作為第二外連接部。
10.根據權利要求8所述的封裝結構的成型方法,其特征在于,步驟“彎折所述金屬結構的邊緣形成豎直延伸的金屬引腳”具體包括:
至少兩排金屬引腳并列排布。
11.根據權利要求8所述的封裝結構的成型方法,其特征在于,步驟“彎折所述金屬結構的邊緣形成豎直延伸的金屬引腳”具體包括:
金屬引腳的下端至少部分水平延伸形成延伸引腳。
12.根據權利要求1所述的封裝結構的成型方法,其特征在于,
所述外連接部的上端表面積大于下端表面積。
13.一種封裝結構,其特征在于,所述封裝結構為通過權利要求1-12中任意一項方法成型的封裝結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





