[發明專利]氯硅烷殘液的預處理系統和方法有效
| 申請號: | 202010060402.6 | 申請日: | 2020-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN111072033B | 公開(公告)日: | 2023-05-12 |
| 發明(設計)人: | 曾曉國;萬燁;張偉;張曉偉;孫強;周志強;魯永潔 | 申請(專利權)人: | 中國恩菲工程技術有限公司;洛陽中硅高科技有限公司 |
| 主分類號: | C01B33/107 | 分類號: | C01B33/107;C01B33/035;C01B9/02;C01C1/16;C01B21/087;B01D36/00;B01D53/00 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
| 地址: | 100038*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅烷 預處理 系統 方法 | ||
1.一種氯硅烷殘液的預處理系統,其特征在于,包括:
氯硅烷殘液設備,所述氯硅烷殘液設備內自上而下形成排氣區、反應區和進料區,并且所述進料區和所述反應區之間設有濾網,所述排氣區設有氮氣入口和尾氣出口,所述進料區設有液態料出口;
氮氣儲罐,所述氮氣儲罐通過第一輸氣管道與所述氮氣入口相連,并且所述第一輸氣管道上設有第一閥門;
液氨供給單元,所述液氨供給單元包括依次相連的液氨儲罐、氣化器和減壓閥,所述減壓閥通過第二輸氣管道與所述進料區相連,并且所述第二輸氣管道上設有第二閥門;
所述氮氣儲罐通過第三輸氣管道與所述進料區相連,并且所述第三輸氣管道上設有第三閥門;
控制單元,所述控制單元與所述氯硅烷殘液設備上溫度檢測裝置以及所述第二閥門和所述第三閥門相連,所述溫度檢測裝置為測溫槍,所述測溫槍布置在所述反應區的側壁上。
2.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述濾網的孔徑為30~50微米。
3.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,進一步包括:尾氣凈化單元,所述尾氣凈化單元與所述尾氣出口相連。
4.一種利用權利要求1-3中任一項所述的系統實施氯硅烷殘液的預處理方法,其特征在于,包括:
(1)采用所述氮氣儲罐通過所述第一輸氣管道向所述氯硅烷殘液設備供給氮氣,以便對氯硅烷殘液進行固液分離,分別得到液態料和固體顆粒,然后停止所述液態料的排放,所述固體顆粒表面殘留的氯硅烷揮發隨氮氣進入尾氣,得到氯硅烷殘渣;
(2)待所述尾氣排空無明顯酸霧后,關閉所述第一閥門,采用所述液氨供給單元通過所述第二輸氣管道向所述氯硅烷殘液設備中供給氨氣,以便使得所述氯硅烷殘渣與氨氣反應,得到含有硅亞胺、氯化銨和金屬絡合物的固態反應物。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,經所述液氨供給單元的減壓閥后的氨氣壓力為2~3bar。
6.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,進一步包括:
(3)所述氯硅烷殘液設備溫度高于300攝氏度,利用所述氮氣儲罐通過所述第三輸氣管道向所述進料區供給氮氣。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,步驟(3)進一步包括,利用所述控制單元基于所述氯硅烷殘液設備上溫度檢測裝置的顯示,控制所述第二閥門和所述第三閥門的開度。
8.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,將所述尾氣供給至所述尾氣凈化單元進行凈化處理。
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