[發明專利]一種毫米波低噪聲放大器和毫米波接收電路

在審

• 申請號: 202010059262.0
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN111245384A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 龔亞軍
• 申請（專利權）人: 長沙瑞感電子科技有限公司
• 主分類號: H03F3/60
• 分類號: H03F3/60
• 代理公司: 深圳市力道知識產權代理事務所(普通合伙) 44507
• 代理人: 賀小旺

本發明公開了一種毫米波低噪聲放大器和毫米波接收電路，放大器包括：依次連接的若干放大電路，放大電路包括：第一MOS晶體管和第二MOS晶體管，第一MOS晶體管的源極接地，柵極連接第一電源；第二MOS晶體管的漏極和柵極連接第二電源，源極連接第一MOS晶體管的漏極；其中，當毫米波低噪聲放大器包括依次連接的多個放大電路時，前一級放大電路的第二MOS晶體管的漏極連接后一級放大電路的第一MOS晶體管的柵極；毫米波低噪聲放大器還包括：輸入匹配電路，用于輸入毫米波信號，連接第一級放大電路的第一MOS晶體管；輸出匹配電路，用于輸出放大的毫米波信號，連接最后一級放大電路的第二MOS晶體管的漏極。對毫米波信號進行放大時的增益大，噪聲系數小。

技術領域

本發明涉及毫米波通信技術領域，尤其涉及一種毫米波低噪聲放大器和毫米波接收電路。

背景技術

由于在2019年WRC-19大會上，增加了新的5G毫米波頻率，使得研發工作在新的頻譜范圍內的毫米波器件和芯片很有必要。毫米波頻段波長短，芯片占用面積小，芯片是高度集成的。低噪聲放大器是接收機電路信號的入口，低噪聲放大器的性能對整個接收芯片的整體性能影響很大，設計一個性能優異的毫米波低噪聲放大器至關重要。

發明內容

為了克服現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種毫米波低噪聲放大器和毫米波接收電路，對毫米波信號進行放大時的增益大，噪聲系數小。

本發明的第一方面提供了一種毫米波低噪聲放大器，所述毫米波低噪聲放大器包括依次連接的若干放大電路，所述放大電路包括：

第一MOS晶體管和第二MOS晶體管，所述第一MOS晶體管的源極接地，柵極連接第一電源；所述第二MOS晶體管的漏極和柵極連接第二電源，源極連接所述第一MOS晶體管的漏極；其中，當所述毫米波低噪聲放大器包括依次連接的多個放大電路時，前一級放大電路的第二MOS晶體管的漏極連接后一級放大電路的第一MOS晶體管的柵極；

所述毫米波低噪聲放大器還包括：

輸入匹配電路，用于輸入毫米波信號，連接第一級放大電路的第一MOS晶體管；

輸出匹配電路，用于輸出放大的毫米波信號，連接最后一級放大電路的第二MOS晶體管的漏極。

本發明的第二方面提供了一種毫米波接收電路，包括前述的毫米波低噪聲放大器。

相比現有技術，本發明實施例的有益效果在于：通過輸入匹配電路接收毫米波電路，實現輸入阻抗匹配；然后由放大電路的第一MOS晶體管構成共源放大器對毫米波電路進行放大后，并由放大電路的第二MOS晶體管構成共柵放大器對第一MOS晶體管輸出的信號進一步處理后輸出；采用單端輸入輸出的結構設計，而且毫米波低噪聲放大器可以通過多級放大電路連接進一步提高放大增益，對毫米波信號進行放大時的增益大，噪聲系數小。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的毫米波低噪聲放大器的電路示意圖；

圖2為毫米波低噪聲放大器在一實施方式中放大增益的示意圖；

圖3為毫米波低噪聲放大器在一實施方式中噪聲系數的示意圖；

圖4為本發明實施例提供的毫米波接收電路的示意性框圖。

具體實施方式

下面，結合附圖以及具體實施方式，對本發明做進一步描述，需要說明的是，在不相沖突的前提下，以下描述的各實施例之間或各技術特征之間可以任意組合形成新的實施例。

如圖1所示為本發明實施例提供的一種毫米波低噪聲放大器(Low NoiseAmplifier，LNA)10的電路示意圖。