[發明專利]一種毫米波低噪聲放大器和毫米波接收電路

在審

• 申請號: 202010059262.0
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN111245384A
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 龔亞軍
• 申請（專利權）人: 長沙瑞感電子科技有限公司
• 主分類號: H03F3/60
• 分類號: H03F3/60
• 代理公司: 深圳市力道知識產權代理事務所(普通合伙) 44507
• 代理人: 賀小旺

1.一種毫米波低噪聲放大器，其特征在于，所述毫米波低噪聲放大器包括依次連接的若干放大電路，所述放大電路包括：

第一MOS晶體管和第二MOS晶體管，所述第一MOS晶體管的源極接地，柵極連接第一電源；所述第二MOS晶體管的漏極和柵極連接第二電源，源極連接所述第一MOS晶體管的漏極；其中，當所述毫米波低噪聲放大器包括依次連接的多個放大電路時，前一級放大電路的第二MOS晶體管的漏極連接后一級放大電路的第一MOS晶體管的柵極；

所述毫米波低噪聲放大器還包括：

輸入匹配電路，用于輸入毫米波信號，連接第一級放大電路的第一MOS晶體管；

輸出匹配電路，用于輸出放大的毫米波信號，連接最后一級放大電路的第二MOS晶體管的漏極。

2.如權利要求1所述的毫米波低噪聲放大器，其特征在于，所述輸入匹配電路包括第一電感，所述第一電感的一端用于輸入毫米波信號，另一端連接所述第一級放大電路的第一MOS晶體管的柵極。

3.如權利要求2所述的毫米波低噪聲放大器，其特征在于，所述輸入匹配電路包括第二電感，所述第一級放大電路的第一MOS晶體管的源極通過所述第二電感接地。

4.如權利要求1所述的毫米波低噪聲放大器，其特征在于，前一級放大電路的第二MOS晶體管的漏極通過第一電容連接后一級放大電路的第一MOS晶體管的柵極。

5.如權利要求1所述的毫米波低噪聲放大器，其特征在于，所述毫米波低噪聲放大器還包括第二電容，所述最后一級放大電路的第二MOS晶體管的漏極通過所述第二電容連接所述輸出匹配電路。

6.如權利要求5所述的毫米波低噪聲放大器，其特征在于，所述輸出匹配電路包括第三電容，所述第二電容用于輸出放大的毫米波信號的一端通過所述第三電容接地。

7.如權利要求1-6中任一項所述的毫米波低噪聲放大器，其特征在于，各所述放大電路還包括第三電感，所述第二MOS晶體管的漏極通過所述第三電感連接所述第二電源。

8.一種毫米波接收電路，其特征在于，包括如權利要求1-7中任一項所述的毫米波低噪聲放大器。

9.如權利要求8所述的毫米波接收電路，其特征在于，所述毫米波低噪聲放大器的數目為多個，多個所述毫米波低噪聲放大器各自輸入對應的毫米波信號，輸出各自放大的毫米波信號；

所述毫米波接收電路還包括功率合成電路、混頻器、中頻信號處理電路；

其中，所述功率合成電路將多個所述毫米波低噪聲放大器輸出的放大的毫米波信號進行功率疊加后輸出疊加信號，所述混頻器將所述疊加信號與本振信號混頻后輸出中頻信號，所述中頻信號處理電路對所述中頻信號進行處理。

10.如權利要求9所述的毫米波接收電路，其特征在于，所述毫米波接收電路還包括多個用于毫米波信號進行移相的移相器，多個所述移相器一一對應的連接于所述毫米波低噪聲放大器和所述功率合成電路之間，所述功率合成電路將所述移相器移相后的毫米波信號進行功率疊加后輸出疊加信號。