[發(fā)明專利]一種低電阻透明導(dǎo)電膜及其制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010059248.0
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111161906A
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡勁銳;魯英杰
• 申請（專利權(quán)）人: 惠州達(dá)祺光電科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 北京沁優(yōu)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11684
• 代理人: 蔡巖巖

本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電材料，尤其涉及一種低電阻透明導(dǎo)電膜及其制備方法。本發(fā)明的低電阻透明導(dǎo)電膜，包括基材，其中，所述的低電阻透明導(dǎo)電膜還包括導(dǎo)電層和保護(hù)層，所述的導(dǎo)電層與所述的保護(hù)層交替設(shè)置；所述的導(dǎo)電層至少兩層，所述的保護(hù)層至少兩層，其中一層所述導(dǎo)電層設(shè)于所述基材的表面。本發(fā)明提供的低電阻透明導(dǎo)電膜通過含有納米銀、石墨烯、碳納米管或?qū)щ姼叻肿又械囊环N或幾種的導(dǎo)電層和含有帶共軛結(jié)構(gòu)的化合物、電荷轉(zhuǎn)移配合物、復(fù)合導(dǎo)電性高分子材料等的保護(hù)層，形成類似并聯(lián)的電路，從而大大降低了導(dǎo)電膜的阻值。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電材料，尤其涉及一種低電阻透明導(dǎo)電膜及其制備方法。

背景技術(shù)

透明導(dǎo)電薄膜(簡稱透明導(dǎo)電膜)是一種既能導(dǎo)電又在可見光范圍內(nèi)具有高透光率的導(dǎo)電材料，在觸摸屏、平面顯示器、太陽能電池、發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

作為納米材料的典型代表，納米銀線(下面簡稱為：AgNW)透明導(dǎo)電薄膜由于在電學(xué)、光學(xué)和機械性能方面都有良好的特性，在近幾年引起了科研工作者的廣泛關(guān)注。用AgNW制備的透明導(dǎo)電薄膜，不僅具有可見光透過率高、表面電阻低、表面平整光滑、柔性好等優(yōu)點，而且相對于現(xiàn)在廣泛使用的ITO薄膜價格較為低廉。

現(xiàn)有技術(shù)中，將納米銀線涂布在透明玻璃等基材上形成透明導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)方法一般為：首先調(diào)制納米銀線涂布液，一般是將納米銀線均勻攪拌于膠水中，然后再在其中添加或者不添加輔助劑(一種含有分散劑、固化劑和溶劑的混合物)，然后將調(diào)制好的納米銀線涂布液涂布在透明基材表面，形成納米銀線導(dǎo)電涂層，最后再烘烤固化而成。膠水的主要成分為一種或幾種高分子有機物，這些高分子有機物通常會降低納米銀線導(dǎo)電層的透過率和導(dǎo)電性，在透過率85％左右時，納米銀線導(dǎo)電薄膜的方阻值一般只能達(dá)到30Ω/sq左右。為了降低AgNW透明導(dǎo)電膜的表面電阻，通常通過增加AgNW層的厚度來達(dá)到，這樣做必然會犧牲導(dǎo)電膜的透光率(即可見光透過率)，增加導(dǎo)電膜的霧度，從而降低導(dǎo)電膜的綜合效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服上述缺陷，提供一種低電阻透明導(dǎo)電膜及其制備方法。

為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種低電阻透明導(dǎo)電膜，包括基材，其中，所述的低電阻透明導(dǎo)電膜還包括導(dǎo)電層和保護(hù)層，所述的導(dǎo)電層與所述的保護(hù)層交替設(shè)置；所述的導(dǎo)電層至少兩層，所述的保護(hù)層至少兩層，其中一層所述導(dǎo)電層設(shè)于所述基材的表面。

進(jìn)一步的，設(shè)于基材表面的導(dǎo)電層的電阻小于其它保護(hù)層的電阻。

進(jìn)一步的，

所述的導(dǎo)電層含有導(dǎo)電組分；優(yōu)選，所述的導(dǎo)電組分為納米銀、石墨烯、碳納米管或?qū)щ姼叻肿又械囊环N或幾種；

所述的保護(hù)層含有樹脂或?qū)щ姴牧希粌?yōu)選，所述的樹脂含有帶共軛結(jié)構(gòu)的化合物、電荷轉(zhuǎn)移配合物，所述的導(dǎo)電材料為復(fù)合導(dǎo)電性高分子材料、氧化銦錫或者無機半導(dǎo)體材料。

進(jìn)一步的，

所述的共軛結(jié)構(gòu)為吡咯、噻吩、苯胺及其衍生物、低聚吡咯、低聚噻吩、低聚苯胺或它們之間的共聚物中的一種或多種；

所述的電荷轉(zhuǎn)移配合物為TMB、TCNQ或兩者形成的電荷轉(zhuǎn)移配合物；

所述的復(fù)合導(dǎo)電性高分子材料為高分子材料內(nèi)部添加導(dǎo)電填料或者纖維形成的，所述的導(dǎo)電填料為導(dǎo)電碳粉、導(dǎo)電氧化鋅、導(dǎo)電ITO、防靜電ATO中的一種或多種；

所述的無機半導(dǎo)體材料為硒、鍺、單晶硅或者第三主族元素和第五主族元素構(gòu)成的化合物。

進(jìn)一步的，所述的低電阻透明導(dǎo)電膜的方阻為0.1-80Ω/sq，透過率為50-92％，霧度為0.6-20％。