[發明專利]一種量子點及其制備方法

在審

• 申請號: 202010058876.7
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN111205859A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 張勇;王衛彪;陳哲學;徐元清;梁程
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: C09K11/56
• 分類號: C09K11/56;C09K11/58;C09K11/60;C09K11/06;C01G49/12;C01G9/08;B82Y20/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種量子點的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

(1)將本體材料、助磨材料和球磨球混合并進行球磨，得到粗產物；

(2)將步驟(1)得到的粗產物與溶劑混合得到混合液，將所述混合液超聲，得到所述量子點。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述本體材料為本體粉末；

優選地，所述本體材料包括金屬本體材料和/或半導體本體材料；

優選地，所述金屬本體材料選自Au、Ag、Cu、Al、Pt、Pd、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Ge、Sn、Pb、Sb或Bi中的任意一種或至少兩種的組合，進一步優選為Au、Ag、Cu、Pt、Fe、Co或Ni中的任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述半導體本體材料選自元素半導體、無機化合物半導體或有機化合物半導體中的任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述元素半導體選自Ge、Si、Se、C、P、B、Te、Sn、As或Sb中的任意一種或至少兩種的組合，進一步優選為Ge、Si、Se、C、P或B中的任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述無機化合物半導體選自PbS、CdS、CuS、Cu₂S、FeS、ZnS、PbSe、CdSe、CuSe、Cu₂Se、FeSe、ZnSe、PbTe、CdTe、CuTe、Cu₂Te、FeTe、ZnTe、GaN、InP、ZnO、TiO₂、CdO、SiO₂、Si₃N₄、SiC、GaAs、Bi₂Te₃、Bi₂Se₃、Bi₂S₃、As₂Te₃、Cu₃SbS₄或Ag₃SbSe₄中的任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述有機化合物半導體選自萘、蒽、聚丙烯腈或酞菁中的任意一種或至少兩種的組合；

優選地，步驟(1)所述本體材料的粒徑為0.1～10000μm，進一步優選為0.5～1000μm。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述助磨材料為無機助磨材料；

優選地，所述無機助磨材料選自離子型化合物、氧化物或碳化物中的任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述離子型化合物的陽離子選自IA族元素陽離子、IIA族元素陽離子或NH₄⁺中的任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述離子型化合物的陰離子選自OH^-、Cl^-、NO₃^-、SO₄^2-、HSO₄^-、PO₄^3-、HPO₄^2-、H₂PO₄^-、CO₃^2-或HCO₃^-中的任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述氧化物選自二氧化硅、二氧化鈦、二氧化鋯、三氧化二鋁或氧化鋅中的任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述碳化物為碳化硅；

優選地，步驟(1)所述助磨材料的粒徑為50～10000nm，進一步優選為50～2000nm；

優選地，步驟(1)所述本體材料與助磨材料的質量比為1:(1～100)，進一步優選為1:(5～30)。