[發明專利]電路基板及電路基板的制備方法

在審

• 申請號: 202010058618.9
• 申請日: 2020-01-19
• 公開（公告）號: CN113141734A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 車世民;車世雄;陳德福;王細心;李晉峰
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;珠海方正科技高密電子有限公司
• 主分類號: H05K3/42
• 分類號: H05K3/42;H05K1/11
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;劉芳

1.一種電路基板，其特征在于，包括絕緣基體以及分別設置在所述絕緣基體兩側表面上的第一導電層和第二導電層；

所述絕緣基體內設置有通孔，所述通孔貫穿所述第一導電層和所述第二導電層；

所述通孔的直徑從靠近所述第一導電層的一端到背離所述第一導電層的一端呈先減小后增加的趨勢；

所述通孔內設置有導電部，所述導電部的兩端分別與所述第一導電層和第二導電層連接。

2.根據權利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述導電部包括貼合設置在所述通孔內表面上的金屬層。

3.根據權利要求1所述的電路基板，其特征在于，所述導電部包括填充在所述通孔內導電金屬，所述導電金屬充滿所述通孔。

4.根據權利要求1-3任一項所述的電路基板，其特征在于，所述電路基板上設置有至少兩個用于與激光鉆機進行對位的對位標記。

5.一種電路基板的制備方法，其特征在于，所述電路基板包括絕緣基體以及分別設置在所述絕緣基體兩側表面上的第一導電層和第二導電層；所述方法包括：

在第一導電層上形成第一孔，且所述第一孔延伸至所述絕緣基體中，所述第一孔的直徑從靠近所述第一導電層的一端向背離所述第一導電層的一端逐漸減小；

在第二導電層上形成第二孔，且所述第二孔延伸至所述絕緣基體中，所述第二孔的直徑從靠近所述第二導電層的一端向背離所述第一導電層的一端逐漸減小；所述第一孔與所述第二孔連通構成通孔；

在通孔內形成導電部，所述導電部的兩端分別與第一導電層和第二導電層連接。

6.根據權利要求5所述的電路基板的制備方法，其特征在于，在所述在第一導電層上形成第一孔之前，還包括：

在電路基板的邊緣上形成至少兩個用于與激光鉆機進行對位的對位標記。

7.根據權利要求6所述的電路基板的制備方法，其特征在于，所述對位標記為對位孔，多個所述對位孔沿所述電路基板的邊緣間隔分布，且每個所述對位孔貫穿所述電路基板。

8.根據權利要求6所述的電路基板的制備方法，其特征在于，每個所述對位標記均包括第一環形對位槽和第二環形對位槽；

所述第一環形對位槽位于所述電路基板的一個側表面上，且所述第一環形對位槽延伸至所述第一導電層與所述絕緣基體的界面處；

所述第二環形對位槽位于所述電路基板的另一側面上，并與所述第二環形對位槽對齊，所述第二環形對位槽延伸至所述第二導電層與所述絕緣基體的界面處。

9.根據權利要求5-8任一項所述的電路基板的制備方法，其特征在于，在電路基板的邊緣形成有兩個用于與激光鉆機進行對位的對位標記之前，還包括：

對電路基板進行烘干，釋放電路基板內的水分。

10.根據權利要求9所述的電路基板的制備方法，其特征在于，

在通孔內形成導電部，所述導電部的兩端分別與第一導電層和第二導電層連接之前，還包括：

對電路基板進行除膠渣處理、去黑膜處理和檢測處理。