[發(fā)明專(zhuān)利]一種低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)及制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010057743.8
• 申請(qǐng)日: 2020-01-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111244155B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 段文婷;房子荃
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L21/337;H01L29/80
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)至少包括：P型襯底，位于所述P型襯底上的N型深阱；位于所述N型深阱中的P型注入?yún)^(qū)，該P(yáng)型注入?yún)^(qū)將所述N型深阱隔離為位于所述P型注入?yún)^(qū)下方的第一N型深阱和位于所述P型注入?yún)^(qū)上方的第二N型深阱；位于所述第二N型深阱上的第一、第二場(chǎng)氧區(qū)，該兩個(gè)場(chǎng)氧區(qū)之間設(shè)有P型重?fù)诫s區(qū)；

位于所述第一場(chǎng)氧區(qū)左側(cè)的第三場(chǎng)氧區(qū)和位于所述第二場(chǎng)氧區(qū)右側(cè)的第四場(chǎng)氧區(qū)；所述第三、第一場(chǎng)氧區(qū)之間設(shè)有N型重?fù)诫s區(qū)；所述第二、第四場(chǎng)氧區(qū)之間設(shè)有N型重?fù)诫s區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第三場(chǎng)氧區(qū)左側(cè)的所述P型襯底上以及所述第四場(chǎng)氧區(qū)右側(cè)的P型襯底上分別設(shè)有將所述P型注入?yún)^(qū)引出的P阱。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第三、第一場(chǎng)氧區(qū)之間的N型重?fù)诫s區(qū)、所述第二、第四場(chǎng)氧區(qū)之間的N型重?fù)诫s區(qū)以及所述第一、第二場(chǎng)氧區(qū)之間的P型重?fù)诫s區(qū)上均設(shè)有接觸孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述接觸孔上設(shè)有與所述接觸孔連接的金屬線。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述JFET結(jié)構(gòu)的漏極電壓為20v，柵極電壓為0v，夾斷電壓為3.5V。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任意一項(xiàng)所述的低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：該方法至少包括以下步驟：

步驟一、提供一P型襯底，在所述P型襯底上形成N型深阱；

步驟二、在所述N型深阱上形成第一、第二場(chǎng)氧區(qū)；

步驟三、在所述第三場(chǎng)氧區(qū)左側(cè)的所述P型襯底上、所述第四場(chǎng)氧區(qū)右側(cè)的P型襯底上形成P阱；

步驟四、在所述第一至第四場(chǎng)氧區(qū)下方的所述N型深阱中形成P型注入?yún)^(qū)，該P(yáng)型注入?yún)^(qū)將所述N型深阱隔離為位于所述P型注入?yún)^(qū)下方的第一N型深阱和位于所述P型注入?yún)^(qū)上方的第二N型深阱；

步驟五、在所述第一、第三場(chǎng)氧區(qū)之間的所述第二N型深阱中以及所述第二、第四場(chǎng)氧區(qū)之間的所述第二N型深阱中分別形成N型重?fù)诫s區(qū)；在所述第一、第二場(chǎng)氧區(qū)之間的所述第二N型深阱中形成P型重?fù)诫s區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：步驟一中在所述P型襯底上通過(guò)N型離子注入形成所述N型深阱。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：步驟二中在所述N型深阱上形成第一、第二場(chǎng)氧區(qū)的同時(shí)，在所述第一場(chǎng)氧區(qū)左側(cè)的所述N型深阱上形成第三場(chǎng)氧區(qū)，在所述第二場(chǎng)氧區(qū)右側(cè)的所述N型深阱上形成第四場(chǎng)氧區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：步驟二中形成所述第一至第四場(chǎng)氧區(qū)的方法為：先利用光刻打開(kāi)用于制作所述第一至第四場(chǎng)氧區(qū)的區(qū)域，再刻蝕該區(qū)域形成所述第一至第四場(chǎng)氧區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：步驟三中形成所述P阱的方法為：利用光刻在所述第三場(chǎng)氧區(qū)左側(cè)的所述P型襯底上、所述第四場(chǎng)氧區(qū)右側(cè)的P型襯底上分別打開(kāi)注入?yún)^(qū)域；在所述第三場(chǎng)氧區(qū)左側(cè)的所述注入?yún)^(qū)域以及第四場(chǎng)氧區(qū)右側(cè)的所述注入?yún)^(qū)域分別注入P型雜質(zhì)離子形成所述P阱。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：該方法還包括步驟六、淀積層間介質(zhì)層，并從所述N型重?fù)诫s區(qū)和所述P型重?fù)诫s區(qū)引出接觸孔。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的低夾斷電壓的JFET結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于：該方法還包括步驟七、在所述層間介質(zhì)層上淀積金屬，將所述接觸孔填充所述金屬。