[發明專利]光刻膠涂覆裝置及光刻膠涂覆方法

在審

• 申請號: 202010055766.5
• 申請日: 2020-01-17
• 公開（公告）號: CN113138535A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 田笵煥;林鐘吉;張成根;金在植
• 申請（專利權）人: 夏泰鑫半導體（青島）有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 王娟

一種光刻膠涂覆裝置，包括夾盤、光刻膠噴嘴、清洗劑噴嘴、邊緣曝光光源、顯影劑噴嘴及調整機構，夾盤定位晶圓并帶動晶圓旋轉，光刻膠噴嘴向定位于夾盤上的晶圓噴涂光刻膠，清洗劑噴嘴向晶圓的邊緣的光刻膠噴涂清洗劑，邊緣曝光光源對晶圓的邊緣的光刻膠進行曝光，顯影劑噴嘴向被曝光的晶圓的邊緣的光刻膠噴涂顯影劑，調整機構調整清洗劑噴嘴保持噴涂的清洗劑與晶圓的表面的角度小于30度，調整機構調整顯影劑噴嘴保持噴涂的顯影劑與晶圓的表面的角度小于30度。本發明的提供的光刻膠涂覆裝置能充分去除光刻膠，且避免清洗劑濺射至晶圓非邊緣處的光刻膠上，提高光刻良率。本發明還提供一種光刻膠涂覆方法。

技術領域

本發明涉及半導體加工領域，具體涉及一種光刻膠涂覆裝置及光刻膠涂覆方法。

背景技術

集成電路通常由光刻工藝制成，一般使用光源將掩模上的圖案轉印到晶圓表面的光刻膠上。在光刻制程中，需要將光刻膠旋涂在晶圓表面上。光刻膠的成分一般包括感光樹脂、增感劑和溶劑。旋涂時，光刻膠由于旋轉離心力從晶圓中心分散至晶圓邊緣，光刻膠到達晶圓邊緣時大部分的溶劑已經蒸發。并且，晶圓邊緣相對氣流較大，使溶劑蒸發的速度較晶圓中心更快。溶劑減少后光刻膠的粘性變大，則晶圓邊緣處較晶圓中心的容易發生光刻膠堆積。堆積在晶圓邊緣的光刻膠在后續制程中發生接觸碰撞等原因產生顆粒，污染晶圓及設備。

因此，旋涂時會去除晶圓邊緣處的光刻膠，一般通過裝配一噴嘴，向晶圓邊緣噴涂清洗劑將晶圓邊緣處堆積的光刻膠去除。但是這種方式去除光刻膠的效果并不充分，還有可能將清洗劑濺射到晶圓非邊緣處的光刻膠上。

發明內容

鑒于此，本發明提供一種解決上述問題的光刻膠涂覆裝置及光刻膠涂覆方法。

一種光刻膠涂覆裝置，包括夾盤、光刻膠噴嘴及清洗劑噴嘴，所述夾盤定位晶圓并帶動所述晶圓旋轉，所述光刻膠噴嘴向定位于所述夾盤上的所述晶圓噴涂光刻膠，所述清洗劑噴嘴向所述晶圓的邊緣的光刻膠噴涂清洗劑，所述光刻膠涂覆裝置還包括邊緣曝光光源、顯影劑噴嘴及調整機構，所述邊緣曝光光源對所述晶圓的邊緣的所述光刻膠進行曝光，所述顯影劑噴嘴向被曝光的所述晶圓的邊緣的所述光刻膠噴涂顯影劑，所述調整機構與所述清洗劑噴嘴、所述顯影劑噴嘴分別連接，所述調整機構調整所述清洗劑噴嘴保持噴涂的清洗劑與所述晶圓的表面的角度小于30度，所述調整機構調整所述顯影劑噴嘴保持噴涂的顯影劑與所述晶圓的表面的角度小于30度。

一種光刻膠涂覆方法，包括以下步驟：

定位晶圓并帶動所述晶圓旋轉；

向所述晶圓噴涂光刻膠；

向所述晶圓的邊緣的光刻膠噴涂清洗劑，保持噴涂的所述清洗劑與所述晶圓的表面的角度小于30度；

對所述晶圓的邊緣的光刻膠進行曝光；

向所述晶圓的邊緣的光刻膠噴涂顯影劑，保持噴涂的所述顯影劑與所述晶圓的表面的角度小于30度。

上述光刻膠涂覆裝置增設邊緣曝光光源及顯影劑噴嘴，對晶圓的邊緣的光刻膠進行曝光及顯影，使晶圓的邊緣的光刻膠被充分去除，并且保持清洗劑噴嘴及顯影劑噴嘴的噴涂的清洗劑及顯影劑與晶圓的表面的角度小于30度，能避免清洗劑及顯影劑濺射至晶圓的非邊緣的光刻膠，造成光刻膠涂覆不均，提高了制程良率。

附圖說明

圖1是本發明一實施例提供的光刻膠涂覆裝置的示意圖。

圖2是圖1所示的光刻膠涂覆裝置應用的晶圓的示意圖。

圖3是本發明另一實施例提供的光刻膠涂覆裝置的示意圖。

圖4是本發明一實施例提供的光刻膠涂覆方法的流程圖。

主要元件符號說明

光刻膠涂覆裝置 100