[發(fā)明專利]靜電吸附部的控制方法和等離子體處理裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010053070.9 | 申請日： | 2020-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN111446144A | 公開（公告）日： | 2020-07-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 玉蟲元 | 申請（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 靜電 吸附 控制 方法 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種靜電吸附部的控制方法，用于使電極板吸附于在等離子體處理裝置的上部設(shè)置的被進行了溫度控制的板上，所述靜電吸附部的控制方法包括以下工序：
在通過所述等離子體處理裝置生成等離子體的等離子體生成期間和不通過所述等離子體處理裝置生成等離子體的空閑期間中的至少所述空閑期間，對所述靜電吸附部的第一電極和第二電極施加相互不同的極性的電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸附部的控制方法，其特征在于，
所述等離子體處理裝置的處理期間交替地包括所述等離子體生成期間和所述空閑期間，
在所述施加相互不同的極性的電壓的工序中，每當所述空閑期間時，對分別施加于所述第一電極和所述第二電極的電壓的極性進行切換。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靜電吸附部的控制方法，其特征在于，還包括以下工序：
在所述等離子體生成期間，對所述電極板施加負的電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的靜電吸附部的控制方法，其特征在于，還包括以下工序：
在所述等離子體生成期間，對所述第一電極和所述第二電極施加相同的極性的電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的靜電吸附部的控制方法，其特征在于，還包括以下工序：
在所述等離子體生成期間，對所述電極板施加負的電壓，并且分別對所述第一電極和所述第二電極施加正的電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的靜電吸附部的控制方法，其特征在于，
在所述施加相同的極性的電壓的工序中，以使施加于所述第一電極和所述第二電極的正的電壓與施加于所述電極板的負的電壓之差同在所述空閑期間施加的電壓值一致的方式，對所述第一電極和所述第二電極施加正的電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電吸附部的控制方法，其特征在于，
向所述電極板施加的負的電壓是使用與所述電極板連接的直流電源來施加的。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電吸附部的控制方法，其特征在于，
向所述電極板施加的負的電壓是使用與所述電極板連接的高頻電源來施加的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸附部的控制方法，其特征在于，
所述等離子體生成期間是通過所生成的所述等離子體來對基板進行處理的基板處理期間和通過所生成的所述等離子體來去除微粒的清潔期間中的任一方，
所述靜電吸附部的控制方法包括以下工序：在所述清潔期間，對所述第一電極施加與在所述基板處理期間施加于所述第一電極的電壓的極性不同的極性的電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電吸附部的控制方法，其特征在于，還包括以下工序：
在所述清潔期間，對所述第二電極施加與在所述基板處理期間施加于所述第二電極的電壓的極性不同的極性的電壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電吸附部的控制方法，其特征在于，還包括以下工序：
在所述清潔期間，對所述第二電極施加與在所述空閑期間施加于所述第二電極的電壓的極性不同的極性的電壓。
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