[發明專利]電子封裝件及其制法

在審

• 申請號: 202010052362.0
• 申請日: 2020-01-17
• 公開（公告）號: CN113078139A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 蔡明汎;陳志偉;蔡宗賢;楊超雅;陳嘉揚
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

一種電子封裝件及其制法，通過將多個屏蔽線設于一承載件上且跨越一電子元件以遮蓋該電子元件，使該些屏蔽線作為屏蔽結構，避免該電子元件受外部電磁波干擾的問題。

技術領域

本發明有關一種半導體封裝制程，尤指一種具屏蔽結構的電子封裝件及其制法。

背景技術

隨著電子產業的蓬勃發展，大部分的電子產品均朝向小型化及高速化的目標發展，尤其是通訊產業的發展已普遍將通訊裝置運用整合于各類電子產品，例如行動電話(Cell phone)、膝上型電腦(laptop)等。然而上述的電子產品需使用高頻的射頻芯片，且射頻芯片可能相鄰設置數字集成電路、數字信號處理器(Digital Signal Processor，簡稱DSP)或基帶芯片(BB,Base Band)，造成電磁干擾(Electromagnetic Interference，簡稱EMI)問題，因此必需進行電磁屏蔽(Electromagnetic Shielding)處理。

現有避免EMI的射頻(Radio frequency，簡稱RF)模塊的制法，如圖1A至圖1C所示，將多個射頻芯片11a,11b與非射頻式電子元件11電性連接在一封裝基板10上，再以例如環氧樹脂的封裝層13包覆各該射頻芯片11a,11b與該非射頻式電子元件11，并于該封裝層13上形成一金屬薄膜14。該射頻模塊1通過該封裝層13保護該射頻芯片11a,11b、非射頻式電子元件11及封裝基板10，并避免外界水氣或污染物的侵害，且通過該金屬薄膜14保護該些射頻芯片11a,11b免受外界EMI影響。

然而，現有射頻模塊1的外圍雖可通過包覆該金屬薄膜14以達到避免EMI的目的，但若射頻芯片11a,11b如為低頻元件，則單一金屬薄膜14作為屏障層仍難以防止電磁干擾。

因此，如何克服上述現有技術的問題，實已成為目前業界亟待克服的難題。

發明內容

鑒于上述現有技術的種種缺陷，本發明提供一種電子封裝件及其制法，避免電子元件受外部電磁波干擾的問題。

本發明的電子封裝件，包括：承載件；電子元件，其設于該承載件上且電性連接該承載件；多個屏蔽線，其設于該承載件上且跨越該電子元件以遮蓋該電子元件，其中，該多個屏蔽線相互交錯；以及封裝層，其形成于該承載件上以包覆該電子元件及屏蔽線。

本發明亦提供一種電子封裝件的制法，包括：提供一設有至少一電子元件的承載件，且該電子元件電性連接該承載件；形成多個屏蔽線于該承載件上，以令該屏蔽線跨越該電子元件，使該屏蔽線遮蓋該電子元件，其中，該多個屏蔽線相互交錯；以及形成封裝層于該承載件上，以令該封裝層包覆該電子元件及屏蔽線。

前述的電子封裝件及其制法中，該屏蔽線的相對兩端部分別連接至該承載件。

前述的電子封裝件及其制法中，該屏蔽線為打線制程的焊線。

前述的電子封裝件及其制法中，該多個屏蔽線沿其中一方向形成。

前述的電子封裝件及其制法中，該多個屏蔽線沿多方向形成。

前述的電子封裝件及其制法中，該屏蔽線外露于該封裝層。

前述的電子封裝件及其制法中，該屏蔽線為弧線，其弧頂外露于該封裝層。例如，該弧頂齊平該封裝層的表面。

前述的電子封裝件及其制法中，還包括形成屏蔽件于該封裝層上。

由上可知，本發明的電子封裝件及其制法，主要通過該屏蔽線跨越該電子元件，以作為屏蔽結構，借以避免該電子元件受外部電磁波干擾的問題，且通過交錯型屏蔽線以形成不規則通道，借以破壞幅射路徑，故能達到更小的電磁幅射量，以提升電磁干擾的屏蔽效果。

此外，若該電子元件為低頻元件，則通過埋設于該封裝層內的屏蔽線能提供較好的防電磁干擾效果。

附圖說明