[發明專利]基板處理方法和基板處理裝置

在審

• 申請號: 202010051108.9
• 申請日: 2020-01-17
• 公開（公告）號: CN111446150A
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發明（設計）人: 小杉仁;梅崎翔太;立花康三;山本諒
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687;B05B9/03;B05B13/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供基板處理方法和基板處理裝置。防止或至少大幅抑制在自分別的噴嘴同時向基板上供給第1處理液和第2處理液時由第1處理液和第2處理液的相互干擾引起的液體飛濺和/或形成于基板上的處理液的液膜厚度的不均勻。由第1處理液形成的第1液柱和由第2處理液形成的第2液柱滿足下述關系。作為第1液柱的中心軸線的第1中心軸線和作為第2液柱的中心軸線的第2中心軸線中的至少第2中心軸線相對于基板的旋轉軸線傾斜。在沿著旋轉軸線的方向觀察時，通過由包含基板的表面在內的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1斷面和第2斷面至少局部重疊。在沿著所述旋轉軸線的方向觀察時，第1中心軸線上的任意的點位于第2中心軸線上。

技術領域

本公開涉及一種基板處理方法和基板處理裝置。

背景技術

在半導體裝置的制造中，對基板進行化學溶液清洗、濕蝕刻等液體處理。在液體處理中，依次向基板供給多種處理液例如化學溶液(例如DHF)、沖洗液(例如DIW)、干燥用液體(例如IPA)(例如參照專利文獻1)。在專利文獻1中，記載有使沖洗噴嘴供給DIW的期間的末期和干燥用液體噴嘴供給IPA的期間的始期在時間上重疊的方法。

專利文獻1：日本特開2017－108190號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開提供一種防止或至少大幅抑制在自分別的噴嘴同時向基板上供給第1處理液和第2處理液時由第1處理液和第2處理液的相互干擾引起的液體飛濺和/或形成于基板上的處理液的液膜厚度的不均勻的技術。

用于解決問題的方案

基板處理方法的一技術方案提供一種基板處理方法，其特征在于，該基板處理方法包括：使基板以水平姿勢繞鉛垂軸線旋轉；在第1供給期間自第1噴嘴向旋轉的所述基板的表面供給第1處理液；以及在第2供給期間自第2噴嘴向旋轉的所述基板的表面供給第2處理液，所述第1供給期間與所述第2供給期間至少局部重疊，在該重疊期間內，由自第1噴嘴噴出的第1處理液形成第1液柱并且由自第2噴嘴噴出的第2處理液形成第2液柱，在所述重疊期間中，在假設停止了來自所述第2噴嘴的所述第2處理液的噴出時的所述第1液柱的形狀和配置以及在假設停止了來自所述第1噴嘴的所述第1處理液的噴出時的所述第2液柱的形狀和配置滿足下述條件：作為所述第1液柱的中心軸線的第1中心軸線和作為所述第2液柱的中心軸線的第2中心軸線中的至少所述第2中心軸線相對于所述旋轉軸線傾斜；在沿著所述旋轉軸線的方向觀察時，通過由包含所述基板的表面在內的水平平面剖切所述第1液柱和所述第2液柱而得到的第1斷面和第2斷面至少局部重疊；以及在沿著所述旋轉軸線的方向觀察時，所述第1中心軸線上的任意的點位于所述第2中心軸線上。

發明的效果

根據本公開，能夠防止或至少大幅抑制在自分別的噴嘴同時向基板上供給第1處理液和第2處理液時由第1處理液和第2處理液的相互干擾引起的液體飛濺和/或形成于基板上的處理液的液膜厚度的不均勻。

附圖說明

圖1是一實施方式所涉及的基板處理裝置的縱剖側視圖。

圖2是圖1的基板處理裝置中包含的處理單元的概略縱剖視圖。

圖3是說明噴嘴的配置的剖視圖。

圖4是說明第1噴嘴的配置和處理液的噴出的圖。

圖5是說明第2噴嘴的配置和處理液的噴出的圖。

圖6是說明第3噴嘴的配置和處理液的噴出的圖。

圖7是表示由圖1的基板處理裝置執行的液體處理的一個例子的時序圖。

圖8是說明以往技術的圖。