[發(fā)明專利]基板處理方法和基板處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010051108.9
• 申請(qǐng)日: 2020-01-17
• 公開（公告）號(hào): CN111446150A
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小杉仁;梅崎翔太;立花康三;山本諒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687;B05B9/03;B05B13/02
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

1.一種基板處理方法，其特征在于，

該基板處理方法包括：

使基板以水平姿勢(shì)繞鉛垂軸線旋轉(zhuǎn)；

在第1供給期間自第1噴嘴向旋轉(zhuǎn)的所述基板的表面供給第1處理液；以及

在第2供給期間自第2噴嘴向旋轉(zhuǎn)的所述基板的表面供給第2處理液，

所述第1供給期間與所述第2供給期間至少局部重疊，在該重疊期間內(nèi)，由自第1噴嘴噴出的第1處理液形成第1液柱，并且由自第2噴嘴噴出的第2處理液形成第2液柱，

在所述重疊期間中，在假設(shè)停止了來自所述第2噴嘴的所述第2處理液的噴出時(shí)的所述第1液柱的形狀和配置以及在假設(shè)停止了來自所述第1噴嘴的所述第1處理液的噴出時(shí)的所述第2液柱的形狀和配置滿足下述條件：

作為所述第1液柱的中心軸線的第1中心軸線和作為所述第2液柱的中心軸線的第2中心軸線中的至少所述第2中心軸線相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)軸線傾斜；

在沿著所述旋轉(zhuǎn)軸線的方向觀察時(shí)，通過由包含所述基板的表面在內(nèi)的水平平面剖切所述第1液柱和所述第2液柱而得到的第1斷面和第2斷面至少局部重疊；以及

在沿著所述旋轉(zhuǎn)軸線的方向觀察時(shí)，所述第1中心軸線上的任意的點(diǎn)位于所述第2中心軸線上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，

所述第1中心軸線相對(duì)于所述鉛垂軸線傾斜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，

所述第1中心軸線與所述鉛垂軸線平行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，

所述第1中心軸線與所述第2中心軸線以形成30度以下的角度的方式交叉。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，

所述第1斷面的中心位于所述第2斷面內(nèi)，且所述第2斷面的中心位于所述第1斷面內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，

所述第1斷面的中心與所述第2斷面的中心之間的距離為2mm以下。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，

自所述第1中心軸線與所述第2中心軸線之間的交點(diǎn)到所述基板的表面的鉛垂方向距離為3mm以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其中，

所述第1噴嘴和所述第2噴嘴以無法相對(duì)移動(dòng)的方式固定于共用的一個(gè)噴嘴保持件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其中，

所述第1處理液和所述第2處理液為相同種類的處理液或者為不同種類的處理液，所述第1供給期間為在時(shí)間上比所述第2供給期間靠前的期間或在時(shí)間上比所述第2供給期間靠后的期間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其中，

在旋轉(zhuǎn)的所述基板的周圍配置液體接收杯，一邊利用所述液體接收杯接收自所述基板飛散的處理液，并且一邊利用頂板覆蓋所述液體接收杯的上部開口部，在所述第1供給期間和所述第2供給期間中的至少一部分期間，一邊向所述頂板與所述基板之間的空間供給非活性氣體，一邊執(zhí)行所述基板處理方法。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理方法，其中，

所述第1噴嘴和所述第2噴嘴以無法相對(duì)移動(dòng)的方式固定于所述頂板，或者所述第1噴嘴和所述第2噴嘴以無法相對(duì)移動(dòng)的方式固定于噴嘴保持件，并且所述噴嘴保持件插入在所述頂板的中心部設(shè)置的開口部。