[發明專利]電路元件以及復合場效應晶體管

有效

• 申請號: 202010049595.5
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN111446080B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 萊恩·M·海雀;提塔許·瑞許特;喬治·A·凱特爾;洪俊顧;達爾門達·帕勒
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01G7/06
• 分類號: H01G7/06;H01L29/78;G16C60/00;G06F30/20;G06F111/10;G06F119/14
• 代理公司: 北京匯知杰知識產權代理有限公司 11587
• 代理人: 李潔;董江虹

本發明提供一種電路元件以及復合場效應晶體管。在一些實施例中，電路元件包含第一端子、第二端子以及層狀結構。層狀結構可包含連接到第一端子的第一導電層、位于第一導電層上的第一壓電層、位于第一壓電層上的第二壓電層以及連接到第二端子的第二導電層。第一壓電層可具有第一壓電張量和第一電容率張量，且第二壓電層可具有第二壓電張量和第二電容率張量，第二壓電張量和第二電容率張量中的一個或兩個分別地不同于第一壓電張量和第一電容率張量。

相關申請的交叉引用

本申請要求2019年1月17日提交的且轉讓給本申請的受讓人的標題為“PIEZO-ENGINEERED?CAPACITANCE(壓電工程電容)”的臨時專利申請第62/793,747號和2019年5月20日提交的美國非臨時申請第16/417,346號的權益，其以引用的方式并入本文中。

技術領域

根據本公開的實施例的一個或多個方面涉及壓電結構，且更具體地說，涉及復合壓電電容器。

背景技術

電容器為在各種各樣電路中使用的構建塊元件。具有較大電容值的電容器的制造成本可能高昂，且在一些應用中，電容的降低或消除可以為有利的。

因此，需要可配置的電容元件。

發明內容

根據本發明的實施例，提供一種電路元件，其包含第一端子、第二端子以及層狀結構，所述層狀結構包含連接到第一端子的第一導電層、位于第一導電層上的第一壓電層、位于第一壓電層上的第二壓電層以及位于第二壓電層上的第二導電層，第二導電層連接到第二端子，第一壓電層具有第一壓電張量(piezoelectric?tensor)和第一電容率張量(permittivity?tensor)，第二壓電層具有第二壓電張量和第二電容率張量，電路元件具有小于參考電容器的電容的0.2倍的電容，除了具有以下不同之處外，所述參考電容器與電路元件相同：具有與第一壓電層相同的電容率張量和零壓電張量的介電層而非第一壓電層，以及具有與第二壓電層相同的電容率張量和零壓電張量的介電層而非第二壓電層。

在一些實施例中，電路元件具有小于零的電容。

在一些實施例中，電路元件具有小于參考電容器的電容的-0.2倍的電容。

在一些實施例中，第一壓電層具有第一厚度和大于第一厚度的平方的10倍的面積。

在一些實施例中，電路元件還包含位于第一壓電層上的介電層，第二壓電層位于所述介電層上。

在一些實施例中，第一壓電層的厚度在10納米與100納米之間，且第二壓電層的厚度在10納米與100納米之間。

在一些實施例中：第一壓電層在第一方向上極化，所述第一方向在垂直于第一壓電層的方向的20度內，且第二壓電層在第二方向上極化，所述第二方向在第一方向的20度內。

根據本發明的實施例，提供一種電路元件，其包含第一端子、第二端子以及層狀結構，所述層狀結構包含連接到第一端子的第一導電層、位于第一導電層上的第一壓電層、位于第一壓電層上的第二壓電層以及位于第二壓電層上的第二導電層，第二導電層連接到第二端子，第一壓電層具有第一壓電張量和第一電容率張量，第二壓電層具有第二壓電張量和第二電容率張量，電路元件具有大于參考電容器的電容的1.2倍的電容，除了具有以下不同之處外，所述參考電容器與電路元件相同：具有與第一壓電層相同的電容率張量和零壓電張量的介電層而非第一壓電層，以及具有與第二壓電層相同的電容率張量和零壓電張量的介電層而非第二壓電層。

在一些實施例中，電路元件具有大于參考電容器的電容的1.4倍的電容。

在一些實施例中，第一壓電層具有第一厚度和大于第一厚度的平方的10倍的面積。

在一些實施例中，電路元件還包含位于第一壓電層上的介電層，第二壓電層位于所述介電層上。