[發明專利]電路元件以及復合場效應晶體管

有效

• 申請號: 202010049595.5
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN111446080B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 萊恩·M·海雀;提塔許·瑞許特;喬治·A·凱特爾;洪俊顧;達爾門達·帕勒
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01G7/06
• 分類號: H01G7/06;H01L29/78;G16C60/00;G06F30/20;G06F111/10;G06F119/14
• 代理公司: 北京匯知杰知識產權代理有限公司 11587
• 代理人: 李潔;董江虹

1.一種復合場效應晶體管，包括：

場效應晶體管，包括具有頂表面的柵極介電層；以及

負電容壓電堆疊體，所述負電容壓電堆疊體包括：

第一壓電層，由第一壓電材料組成；

位于所述第一壓電層上的第二壓電層，所述第二壓電層由不同于所述第一壓電材料的第二壓電材料組成；以及

非壓電層，夾置于所述第一壓電層與所述第二壓電層之間，

所述負電容壓電堆疊體可操作地耦合到所述柵極介電層的所述頂表面，且由于所述第一壓電材料和所述第二壓電材料各自特性之間的差異，所述負電容壓電堆疊體具有小于零的有效相對介電常數。

2.根據權利要求1所述的復合場效應晶體管，還包括：

第一導電層；以及

第二導電層，

所述第一壓電層位于所述第一導電層上，

所述第二壓電層位于所述第一壓電層上，且

所述第二導電層連接到所述柵極介電層的所述頂表面上的導電層。

3.根據權利要求1所述的復合場效應晶體管，其中所述負電容壓電堆疊體位于所述柵極介電層的所述頂表面上。

4.根據權利要求1所述的復合場效應晶體管，其中所述復合場效應晶體管具有小于60毫伏/十倍程的亞閾值擺幅。

5.根據權利要求1所述的復合場效應晶體管，其中所述第一壓電層的厚度在10納米與100納米之間，且所述第二壓電層的厚度在10納米與100納米之間。

6.根據權利要求1所述的復合場效應晶體管，其中：

所述第一壓電層在第一方向上極化，所述第一方向在垂直于所述第一壓電層的方向的20度內，且

所述第二壓電層在第二方向上極化，所述第二方向在所述第一方向的20度內。

7.根據權利要求1所述的復合場效應晶體管，其中所述負電容壓電堆疊體具有小于-0.2的有效相對介電常數。