[發明專利]半導體結構的形成方法在審
| 申請號： | 202010049531.5 | 申請日： | 2020-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN113130393A | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發明（設計）人： | 張海洋;陳建;涂武濤 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8234 | 分類號： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 吳敏 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 形成 方法 | ||
1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底包括中間區域和邊緣區域，所述襯底上具有柵極結構，所述中間區域的所述柵極結構的高度與所述邊緣區域的所述柵極結構的高度具有差異；
采用至少一次沉積工藝在所述襯底、所述柵極結構表面形成覆蓋層，位于高度高的所述柵極結構上的所述覆蓋層的厚度小于位于高度低的所述柵極結構上的所述覆蓋層的厚度；
在每次形成完所述覆蓋層后，均刻蝕所述覆蓋層及部分厚度的所述柵極結構。
2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述覆蓋層的材料為碳氫聚合物。
3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述沉積工藝包括等離子體沉積工藝。
4.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，采用控溫方法形成所述覆蓋層。
5.如權利要求4所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述控溫方法包括：
提供控溫基板，將所述襯底放置在所述控溫基板上；
通過所述控溫基板控制所述襯底的溫度，使高度高的所述柵極結構的溫度高于高度低的所述柵極結構的溫度。
6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述柵極結構包括：介電層；功函數層，位于所述介電層表面；以及柵極材料層，位于所述功函數層表面。
7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，刻蝕所述柵極結構的方法包括：
先刻蝕所述柵極材料層；
再刻蝕所述功函數層和所述介電層。
8.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，當所述沉積工藝為一次時，在所述襯底、所述柵極結構表面形成覆蓋層，位于高度高的所述柵極結構上的所述覆蓋層的厚度小于位于高度低的所述柵極結構上的所述覆蓋層的厚度；
刻蝕所述覆蓋層及部分厚度的所述柵極結構。
9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，當所述沉積工藝為多次時，在所述襯底、所述柵極結構表面形成覆蓋層；
刻蝕所述覆蓋層和部分厚度的所述柵極結構；
循環進行形成所述覆蓋層以及刻蝕所述覆蓋層和所述柵極結構的步驟。
10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述沉積工藝的次數為5～10次。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
