[發(fā)明專利]射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置及射頻測(cè)試和校準(zhǔn)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010048168.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111123078A | 公開(公告)日: | 2020-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳曉菡 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 普聯(lián)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 王善娜 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)深南路科技*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 射頻 測(cè)試 校準(zhǔn) 裝置 方法 | ||
本發(fā)明適用于電路板測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置及射頻測(cè)試和校準(zhǔn)方法,該射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置包括第一測(cè)試點(diǎn),與所述射頻鏈路的第一端連接;第二測(cè)試點(diǎn),與所述射頻鏈路的第二端連接,且與所述第一測(cè)試點(diǎn)相間隔;以及至少一個(gè)接地焊盤;該射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置允許通過第一測(cè)試點(diǎn)和第二測(cè)試點(diǎn)分別對(duì)射頻鏈路的不同端進(jìn)行測(cè)試和/或校準(zhǔn),并且,在完成測(cè)試后通過將第一測(cè)試點(diǎn)和第二測(cè)試點(diǎn)短接即可使得射頻鏈路形成通路以正常工作,無需使用連接座,節(jié)省物料成本,操作可以更簡(jiǎn)便;基于該射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置的射頻測(cè)試和校準(zhǔn)方法,其測(cè)試過程無需使用連接座,測(cè)試過程更簡(jiǎn)便,并且測(cè)試成本得以降低。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電路板測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置及射頻測(cè)試和校準(zhǔn)方法。
背景技術(shù)
在電路板研發(fā)和生產(chǎn)過程中,對(duì)板上的射頻鏈路進(jìn)行射頻測(cè)試和校準(zhǔn)是不可或缺的關(guān)鍵步驟。做射頻測(cè)試/校準(zhǔn)時(shí),業(yè)界通常的做法是在電路板上添加額外的連接器,通過將連接器的信號(hào)引腳焊接到射頻鏈路的測(cè)試/校準(zhǔn)點(diǎn),再將連接器與射頻測(cè)試/校準(zhǔn)儀器通過電纜連接后實(shí)現(xiàn)射頻測(cè)試/校準(zhǔn);如果想切換測(cè)試/校準(zhǔn)點(diǎn),需要將連接器的信號(hào)引腳斷開,重新焊接到新的測(cè)試/校準(zhǔn)點(diǎn)上;測(cè)試校準(zhǔn)完成后,將電纜從連接器上取下,兩個(gè)測(cè)試點(diǎn)即可短接,電路便可正常工作。這種方法會(huì)引入額外的物料成本,增加了產(chǎn)品的剖面高度,且切換測(cè)試/校準(zhǔn)點(diǎn)時(shí)需要重新焊接連接器,研發(fā)調(diào)測(cè)和工廠生產(chǎn)的操作比較繁瑣,還容易因?yàn)楹附硬划?dāng)損壞產(chǎn)品。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置,旨在解決現(xiàn)有的射頻鏈路測(cè)試時(shí)需要使用連接器所造成的操作繁瑣以及容易損壞產(chǎn)品的技術(shù)問題。
本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置,形成于具有射頻鏈路的電路板上,所述射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置包括:
第一測(cè)試點(diǎn),與所述射頻鏈路的第一端連接;
第二測(cè)試點(diǎn),與所述射頻鏈路的第二端連接,且與所述第一測(cè)試點(diǎn)相間隔;以及
至少一個(gè)接地焊盤。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置還包括連接在所述第一測(cè)試點(diǎn)和所述第二測(cè)試點(diǎn)之間的零歐姆連接結(jié)構(gòu)。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述零歐姆連接結(jié)構(gòu)包括零歐姆貼片電阻。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置還包括多個(gè)連接走線,所述連接走線分別連接在所述第一測(cè)試點(diǎn)與所述射頻鏈路的第一端之間,以及所述第二測(cè)試點(diǎn)與所述射頻鏈路的第二端之間。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述連接走線包括多條依次串接的微帶線,其中至少一個(gè)所述微帶線的邊緣延伸形成至少一個(gè)開路支節(jié)。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述電路板為多層電路板,所述第一測(cè)試點(diǎn)、第二測(cè)試點(diǎn)及所述接地焊盤均形成于所述多層電路板的表層銅層上,所述射頻測(cè)試和校準(zhǔn)裝置還包括形成于所述多層電路板的其他銅層上的接地部。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述多層電路板為四層以上電路板,所述多層電路板的表層銅層上對(duì)應(yīng)所述第一測(cè)試點(diǎn)和所述第二測(cè)試點(diǎn)的周圍均形成禁鋪區(qū)域,所述多層電路板的中間銅層上的接地部對(duì)應(yīng)所述第一測(cè)試點(diǎn)和所述第二測(cè)試點(diǎn)的周圍設(shè)有開窗區(qū)域,所述多層電路板的底層銅層上的所述接地部覆蓋于所述禁鋪區(qū)域;或者
所述多層電路板為雙層電路板,所述雙層電路板的表層銅層上對(duì)應(yīng)所述第一測(cè)試點(diǎn)和所述第二測(cè)試點(diǎn)的周圍均形成禁鋪區(qū)域,所述雙層電路板的底層銅層上的所述接地部覆蓋于所述禁鋪區(qū)域。
在一個(gè)實(shí)施例中,所述接地焊盤的數(shù)量為多個(gè),且多個(gè)所述接地焊盤分布在所述第一端至所述第二端連線方向的兩側(cè),且,至少一個(gè)所述接地焊盤靠近所述第一端設(shè)置,至少另一個(gè)所述接地焊盤靠近所述第二端設(shè)置。
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- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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