[發(fā)明專利]一種PECVD設(shè)備加熱裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010047226.2 | 申請日: | 2020-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN113122826A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 羅才旺;龔俊 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50;C23C16/52 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 徐好 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 pecvd 設(shè)備 加熱 裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種PECVD設(shè)備加熱裝置,包括加熱盤以及多根設(shè)于加熱盤中間區(qū)域的支撐桿,所述加熱盤內(nèi)設(shè)有多圈加熱電阻絲,所述支撐桿位于所述加熱電阻絲的內(nèi)側(cè),PECVD設(shè)備加熱裝置還包括輻射加熱部件,所述輻射加熱部件設(shè)于所述加熱盤的下方。本發(fā)明具有種結(jié)構(gòu)簡單、成本低、加熱均勻性好、有利于保證工藝效果等優(yōu)點。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及PECVD設(shè)備,尤其涉及一種PECVD設(shè)備加熱裝置。
背景技術(shù)
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)設(shè)備是指等離子體增強化學(xué)的氣相沉積設(shè)備。目前PECVD反應(yīng)腔室一般都是自動裝卸片,在裝卸片過程中,需要加熱盤中間區(qū)域的三根支撐桿將基片向上頂升,以讓出空間,使機械手能夠伸到基片下方進行傳送片。
由于加熱盤要為支撐桿讓出空間,因此中間區(qū)域布置加熱電阻絲不方便,并且電阻絲要從此處引出,導(dǎo)致中間區(qū)域有一部分無法布置加熱電阻絲。在工藝過程中,中間區(qū)域會因為沒有布置加熱電阻絲,其溫度會偏低,進而會影響工藝效果。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種結(jié)構(gòu)簡單、成本低、有利于保證工藝效果的PECVD設(shè)備即熱裝置。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種PECVD設(shè)備加熱裝置,包括加熱盤以及多根設(shè)于加熱盤中間區(qū)域的支撐桿,所述加熱盤內(nèi)設(shè)有多圈加熱電阻絲,所述支撐桿位于所述加熱電阻絲的內(nèi)側(cè),PECVD設(shè)備加熱裝置還包括輻射加熱部件,所述輻射加熱部件設(shè)于所述加熱盤的下方。
作為上述技術(shù)方案的進一步改進:
所述輻射加熱部件為面加熱部件。
作為上述技術(shù)方案的進一步改進:
所述輻射加熱部件與所述加熱盤之間的間距可調(diào)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點在于:本發(fā)明公開的PECVD設(shè)備加熱裝置,加熱部分包括加熱電阻絲和輻射加熱部件,加熱電阻絲主要依靠熱傳導(dǎo)將熱量傳遞到加熱盤上表面的基片,輻射加熱部件主要通過熱輻射的方式將熱量傳遞給加熱盤中間區(qū)域,再由加熱盤中間區(qū)域的材料通過熱傳導(dǎo)將熱量傳遞到加熱盤上方的基片,輻射加熱器對加熱盤無法布置加熱電阻絲的中間區(qū)域進行溫度補償,或者說提供補充熱源,確保整個加熱盤上表面的溫度更加均勻,從而保證工藝效果。
附圖說明
圖1是本發(fā)明PECVD設(shè)備加熱裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明PECVD設(shè)備加熱裝置的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中各標號表示:1、加熱盤;2、支撐桿;3、輻射加熱部件;4、加熱電阻絲;5、基片。
具體實施方式
以下結(jié)合說明書附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。
圖1至圖2示出了本發(fā)明PECVD設(shè)備加熱裝置的一種實施例,本實施例的PECVD設(shè)備加熱裝置,包括加熱盤1以及多根設(shè)于加熱盤1中間區(qū)域的支撐桿2,加熱盤1內(nèi)設(shè)有多圈加熱電阻絲4,支撐桿2位于加熱電阻絲4的內(nèi)側(cè),PECVD設(shè)備加熱裝置還包括輻射加熱部件3,輻射加熱部件3設(shè)于加熱盤1的下方。其中,輻射加熱部件3的形狀例如可以是圓形、環(huán)形或其他異性結(jié)構(gòu),能夠提供補充熱源,保證加熱盤1表面溫區(qū)更加均勻即可。
PECVD設(shè)備加熱裝置,加熱部分包括加熱電阻絲和輻射加熱部件,加熱電阻絲主要依靠熱傳導(dǎo)將熱量傳遞到加熱盤上表面的基片,輻射加熱部件主要通過熱輻射的方式將熱量傳遞給加熱盤中間區(qū)域,再由加熱盤中間區(qū)域的材料通過熱傳導(dǎo)將熱量傳遞到加熱盤上方的基片,輻射加熱器對加熱盤無法布置加熱電阻絲的中間區(qū)域進行溫度補償,或者說提供補充熱源,確保整個加熱盤上表面的溫度更加均勻,從而保證工藝效果。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
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