[發(fā)明專利]一種PECVD設(shè)備加熱裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010047226.2 | 申請日: | 2020-01-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113122826A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅才旺;龔俊 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 |
| 主分類號(hào): | C23C16/50 | 分類號(hào): | C23C16/50;C23C16/52 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 徐好 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 pecvd 設(shè)備 加熱 裝置 | ||
1.一種PECVD設(shè)備加熱裝置,包括加熱盤(1)以及多根設(shè)于加熱盤(1)中間區(qū)域的支撐桿(2),所述加熱盤(1)內(nèi)設(shè)有多圈加熱電阻絲(4),所述支撐桿(2)位于所述加熱電阻絲(4)的內(nèi)側(cè),其特征在于:PECVD設(shè)備加熱裝置還包括輻射加熱部件(3),所述輻射加熱部件(3)設(shè)于所述加熱盤(1)的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的PECVD設(shè)備加熱裝置,其特征在于:所述輻射加熱部件(3)為面加熱部件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的PECVD設(shè)備加熱裝置,其特征在于:所述輻射加熱部件(3)與所述加熱盤(1)之間的間距可調(diào)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動(dòng)設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
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- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
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- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





