[發明專利]一種提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑及其使用方法

有效

• 申請號: 202010045548.3
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN113135750B
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發明（設計）人: 胡競楚;楊昌平;李慧娟;徐玲芳;余昌昊;梁世恒;王瑞龍;肖海波;胡季帆
• 申請（專利權）人: 太原科技大學;湖北大學;南京銥方巨人新能源科技有限公司
• 主分類號: C04B35/453
• 分類號: C04B35/453;C04B41/87
• 代理公司: 武漢河山金堂專利事務所(普通合伙) 42212
• 代理人: 胡清堂

本發明涉及半導體、電子功能材料領域，公開了一種提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑及其使用方法，所述絕緣化劑中包括Pb₃O₄、CuO、B₂O₃，并用新的氧化劑CBi₂O₅替代了Bi₂O₃，將CBi₂O₅、Pb₃O₄、CuO、B₂O₃按一定質量比混合制成新的絕緣化劑，并通過瓷片絕緣化的過程，使用絕緣化劑，得到電阻值更高的電容器瓷片，提高電容器的性能。

技術領域

本發明屬于半導體、電子功能材料領域，具體涉及一種提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑及其使用方法。

背景技術

STO晶界層電容的電阻取決于位于晶界處的絕緣層，國內一般采用二次燒結法法技術獲得高阻值晶界層電容瓷片，因此在瓷片絕緣化時選擇適當氧化劑涂覆物至關重要。同時由于在二次燒結法中，氧化劑涂覆物經過熱擴散進入晶界形成第二相絕緣層，氧擴散進入晶粒表層形成擴散層，絕緣層和擴散層的厚度和形態很難控制，因此最終瓷片的電阻值大小和均勻性很難保證。目前國內市場的STO?III類瓷，尺寸為1mm(長)×1mm(寬)，厚0.25mm，電容值為900-1000pF(介電常數25000–30000)，加載電壓為50V時，電阻值一般在1G–5GΩ，耐壓值小于100V，選擇還有優良性質氧化劑的絕緣化劑，能有效的提升電容器瓷片的電阻，提升電容器的性能，因此，研發一種優良的絕緣化劑，對于提高電容器瓷片的阻值有著重要的意義。

發明內容

針對上述情況，本發明提供了一種提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑及其使用方法，用在載體(包含溶解劑和黏合劑)溶解度更高的氧化劑CBi₂O₅代替常用的Bi₂O₃得到更優良的絕緣化劑。

為實現上述目的，本發明提供的技術方案如下：

一種提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑，其特征在于，由CBi₂O₅、Pb₃O₄、CuO、B₂O₃按一定質量比混合制成。

優選的，所述絕緣化劑各組分重量比分別為CBi₂O₅35-45、Pb₃O₄25-31.9、CuO20-25.4、B₂O₃10-12.7，其中，所述Pb₃O₄、CuO、B₂O₃重量比固定為25：20：10。

進一步優選的，所述絕緣化劑各組分重量比分別為CBi₂O₅45、Pb₃O₄25、CuO20、B₂O₃10。

上述任一種絕緣化劑的使用方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、將CBi₂O₅、Pb₃O₄、CuO、B₂O₃按照一定的質量比充分混合后放入球磨機中球磨12h得到絕緣化劑；

步驟二、在勻膠機上，將得到的絕緣化劑在電容器瓷片上涂抹均勻；

步驟三、再將電容器瓷片放入管式爐中，在空氣氛圍下，在1180℃溫度下保溫2-4h后降溫，經過0.5-1h降至900-930℃，再自然降溫降至室溫，得到阻值提高的電容器瓷片。

本發明所具有的有益效果為：