[發明專利]一種提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑及其使用方法有效
| 申請號: | 202010045548.3 | 申請日: | 2020-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN113135750B | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發明(設計)人: | 胡競楚;楊昌平;李慧娟;徐玲芳;余昌昊;梁世恒;王瑞龍;肖海波;胡季帆 | 申請(專利權)人: | 太原科技大學;湖北大學;南京銥方巨人新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/453 | 分類號: | C04B35/453;C04B41/87 |
| 代理公司: | 武漢河山金堂專利事務所(普通合伙) 42212 | 代理人: | 胡清堂 |
| 地址: | 030024 山*** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 晶界層 電容器 電阻 絕緣 及其 使用方法 | ||
1.一種提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑,其特征在于,由CBi2O5、Pb3O4、CuO、B2O3按一定質量比混合制成;
所述絕緣化劑各組分重量比分別為CBi2O535-45、Pb3O425-31.9、CuO20-25.4、B2O310-12.7,其中,所述Pb3O4、CuO、B2O3重量比固定為25:20:10。
2.根據權利要求1所述的一種提高晶界層電容器電阻的絕緣化劑,其特征在于,所述絕緣化劑各組分重量比分別為CBi2O545、Pb3O425、CuO20、B2O310。
3.權利要求1-2所述的任一種絕緣化劑的使用方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟一、將CBi2O5、Pb3O4、CuO、B2O3按照一定的質量比充分混合后放入球磨機中球磨12h得到絕緣化劑;
步驟二、在勻膠機上,將得到的絕緣化劑在電容器瓷片上涂抹均勻;
步驟三、再將電容器瓷片放入管式爐中,在空氣氛圍下,在1180℃溫度下保溫2-4h后降溫,經過0.5-1h降至900-930℃,再自然降溫降至室溫,得到阻值提高的電容器瓷片。
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