[發明專利]集成電路結構及其制造方法

有效

• 申請號: 202010044975.X
• 申請日: 2020-01-16
• 公開（公告）號: CN111599803B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 張峰銘;張瑞文;王屏薇;王勝雄;盧麒友
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H10B10/00
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造集成電路結構的方法，包括：

布局標準單元區域，在所述標準單元區域內具有矩形空間，其中，所述標準單元區域包括：

第一行標準單元，具有面向所述矩形空間的第一底部邊界；和

多個標準單元，具有面向所述矩形空間的側邊界，其中，所述多個標準單元包括底行的標準單元；

在所述矩形空間中布置外圍器件區域，所述外圍器件區域包括第一部分、第二部分和第三部分；

在所述矩形空間中布局存儲器陣列，其中，所述底行的第二底部邊界、所述外圍器件區域的所述第一部分的第三頂部邊界和所述存儲器陣列的第三底部邊界與同一直線對準，并且所述外圍器件區域的所述第二部分位于所述存儲器陣列的左側，所述外圍器件區域的所述第三部分位于所述存儲器陣列的右側；以及

在所述矩形空間中布局填充單元區域，其中，所述填充單元區域包括：

第一頂部邊界，與所述第一行標準單元的所述第一底部邊界接觸；和

第四底部邊界，與所述存儲器陣列的第二頂部邊界接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在晶圓上制造所述標準單元區域、所述存儲器陣列和所述填充單元區域。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，布局所述填充單元區域包括布局具有與所述存儲器陣列中的存儲器單元相同的高度的第一填充單元。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第一填充單元包括：

所述第一頂部邊界的第一部分，與所述第一行標準單元的所述第一底部邊界接觸；以及

所述第四底部邊界的第二部分，與所述存儲器陣列的所述第二頂部邊界接觸。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，所述標準單元區域、所述存儲器陣列和所述填充單元區域具有落在網格的網格線上的邊界，并且布局所述填充單元區域還包括：

在所述第一填充單元和所述第一行標準單元之間布局第二填充單元，并且所述第二填充單元與所述第一填充單元和所述第一行標準單元接觸。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述第二填充單元具有等于三個網格間距的高度。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，布局所述填充單元區域還包括：

在所述第二填充單元和所述第一行標準單元之間布局第三填充單元。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一行標準單元具有第一單元高度，并且所述存儲器陣列中的存儲器單元具有第二高度，其中，所述第一單元高度和所述第二高度具有公因子，并且其中，所述方法還包括布局具有不同單元高度的多個填充單元，其中，所述不同單元高度等于所述公因子的整數倍。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，布局所述存儲器陣列包括布局靜態隨機存取存儲器單元。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述填充單元區域中的填充單元不具有電功能。

11.一種集成電路結構，包括：

多個標準單元，形成標準單元第一行以及標準單元底部行；

靜態隨機存取存儲器陣列；

多個填充單元，在所述標準單元第一行和所述靜態隨機存取存儲器陣列之間形成填充單元行，其中，所述多個填充單元的高度等于所述靜態隨機存取存儲器陣列中的靜態隨機存取存儲器單元的高度，并且其中，所述多個填充單元的頂部邊界與所述標準單元第一行中的所述多個標準單元的底部邊界接觸，并且所述多個填充單元的底部邊界與所述靜態隨機存取存儲器陣列的頂部邊界接觸；以及

外圍器件區域，所述外圍器件區域包括第一部分、第二部分和第三部分，其中，所述標準單元底部行中的所述標準單元的底部邊界、所述外圍器件區域的所述第一部分的頂部邊界以及所述靜態隨機存取存儲器陣列的底部邊界與同一直線對準，并且所述外圍器件區域的所述第二部分位于所述靜態隨機存取存儲器陣列的左側，所述外圍器件區域的所述第三部分位于所述靜態隨機存取存儲器陣列的右側。