[發明專利]擴散型場效應晶體管的形成方法

有效

• 申請號: 202010043997.4
• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號: CN111244178B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 王夢慧;李慶民;祝進專
• 申請（專利權）人: 合肥晶合集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供了一種擴散型場效應晶體管的形成方法。包括溝槽隔離結構以及厚度較大的第二氧化層，以實現對器件的耐壓性能的雙重優化，有利于更大程度的提高擴散型場效應晶體管的擊穿電壓。以及，通過設置厚度較大的第二氧化層以保障器件的耐壓性能，一方面可以實現溝槽隔離結構的尺寸的進一步縮減，從而能夠降低晶體管器件的導通電阻；另一方面，還可以增加漂移區的離子摻雜濃度，進而同樣可以有效降低晶體管器件的導通電阻，如此，即有利于實現導通電阻與耐壓的平衡。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種擴散型場效應晶體管及其形成方法。

背景技術

隨著人們對電子產品的便攜式與高效運行的共同需求下，高集成度和高功率的器件不斷發展，功率晶體管器件已廣泛應用于開關電源、數字電視、汽車電子、以及工業控制領域。其中，高密度的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)同時兼備信號處理與功率激勵，滿足了便攜與低功耗的要求，從而成為了最具有發展前景的功率集成器件。

目前，BCD的核心器件中，針對擴散型場效應晶體管其急需攻克的課題是如何在提高晶體管器件的耐壓性能的同時，保持晶體管器件的低導通電阻。

發明內容

本發明的目的在于提供一種擴散型場效應晶體管，以解決現有的擴散型場效應晶體管難以在提高器件的耐壓性能的同時，保持晶體管器件的低導通電阻。

為解決上述技術問題，本發明提供一種擴散型場效應晶體管，包括：

襯底，所述襯底中形成有漂移區，所述漂移區中形成有漏極區，以及在所述漂移區的一側還形成有源極區；

溝槽隔離結構，形成在所述漂移區中，并位于所述漏極區和所述源極區之間；

第一氧化層，形成在所述襯底上，并由所述源極區延伸至所述漂移區；

第二氧化層，形成在所述漂移區的襯底上，并位于所述溝槽隔離結構靠近所述源極區的一側，并且所述第二氧化層的厚度大于所述第一氧化層的厚度；

電極導電層，至少形成在所述第一氧化層和所述第二氧化層上。

可選的，所述第二氧化層位于所述第一氧化層和所述溝槽隔離結構之間，并連接所述第一氧化層和所述溝槽隔離結構。

可選的，所述第二氧化層中連接所述第一氧化層的端部以朝向所述第一氧化層的方向厚度逐漸減小。

可選的，所述第二氧化層部分嵌入至襯底中，以及所述溝槽隔離結構的頂表面還凸出于所述襯底的頂表面。

可選的，所述溝槽隔離結構的頂表面不低于所述第二氧化層的頂表面。

可選的，所述第二氧化層的平均厚度尺寸大于等于所述第一氧化層的平均厚度尺寸的2倍。

可選的，所述襯底中還形成有阱區，所述阱區位于所述漂移區的一側，以及所述源極區形成在所述阱區中。

另外，本發明還提供了一種擴散型場效應晶體管的形成方法，包括：

提供一襯底，并在所述襯底上形成掩模層，所述掩模層中形成有至少一第一開窗；

以所述掩模層為掩模刻蝕所述襯底，以在所述襯底中形成對應于所述第一開窗的隔離溝槽，并在所述隔離溝槽中填充絕緣材料層，以形成溝槽隔離結構；

增加所述掩模層的第一開窗的寬度尺寸，以構成第二開窗，所述第二開窗至少暴露出所述溝槽隔離結構一側的襯底；

執行氧化工藝，以在暴露于所述第二開窗中的襯底上形成第二氧化層；