[發(fā)明專利]擴(kuò)散型場效應(yīng)晶體管的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010043997.4
• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號: CN111244178B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王夢慧;李慶民;祝進(jìn)專
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥晶合集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種擴(kuò)散型場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，并在所述襯底上形成掩模層，所述掩模層中形成有至少一第一開窗；

以所述掩模層為掩模刻蝕所述襯底，以在所述襯底中形成對應(yīng)于所述第一開窗的隔離溝槽，并在所述隔離溝槽中填充絕緣材料層，以形成溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

增加所述掩模層的第一開窗的寬度尺寸，以構(gòu)成第二開窗，所述第二開窗至少暴露出所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)一側(cè)的襯底；

執(zhí)行氧化工藝，以在暴露于所述第二開窗中的襯底上形成第二氧化層；

去除所述掩模層，并在所述襯底中形成漂移區(qū)，在所述襯底上依次形成第一氧化層和電極導(dǎo)電層，所述漂移區(qū)包圍所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)并擴(kuò)展至所述第二氧化層的外側(cè)，所述第一氧化層位于所述第二氧化層遠(yuǎn)離所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)的一側(cè)，并且所述第二氧化層的厚度大于所述第一氧化層的厚度；以及，

在所述漂移區(qū)中形成漏極區(qū)，所述漏極區(qū)位于所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述第一氧化層的一側(cè)，在所述第一氧化層遠(yuǎn)離所述漂移區(qū)的一側(cè)形成源極區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的擴(kuò)散型場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，所述掩模層的形成方法包括：

在所述襯底上形成掩模材料層；

利用一光罩，形成第一光阻層在所述掩模材料層上，所述第一光阻層中形成有第一開口；以及，

基于所述第一光阻層刻蝕所述掩模材料層，以在所述掩模材料層中形成所述第一開窗，并構(gòu)成所述掩模層。

3.如權(quán)利要求2所述的擴(kuò)散型場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，增加所述第一開窗的寬度尺寸以構(gòu)成第二開窗的方法包括：

利用一光罩執(zhí)行圖形化工藝，以形成第二光阻層在所述掩模材料層上，所述第二光阻層中形成有第二開口，所述第二開口至少暴露出與所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)緊鄰的部分掩模層；以及，

去除所述掩模層中從所述第二開口暴露出的部分，以至少暴露出所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)一側(cè)的襯底。

4.如權(quán)利要求3所述的擴(kuò)散型場效應(yīng)晶體管的形成方法，其特征在于，用于形成所述第一光阻層的光罩和用于形成所述第二光阻層的光罩為同一光罩；

以及，利用第一光阻層的光罩形成第二光阻層時，調(diào)整圖形化工藝中曝光過程的曝光參數(shù)和/或調(diào)整圖形化工藝中顯影過程的顯影參數(shù)，以使所述第二光阻層中的第二開口的寬度尺寸大于所述第一光阻層中的第一開口的寬度尺寸。