[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010042939.X
• 申請日: 2020-01-15
• 公開（公告）號(hào): CN112786437B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許民
• 申請（專利權(quán)）人: 夏泰鑫半導(dǎo)體（青島）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/033
• 分類號(hào): H01L21/033;H01L21/8242
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 彭輝劍;龔慧惠

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

在基板的器件層上形成掩模疊層；

在掩模疊層上形成中間層；

在中間層上形成第一緩沖層；

在第一緩沖層上形成多個(gè)第一線性偽特征，所述多個(gè)第一線性偽特征彼此并排并沿第一方向延伸；

形成第一襯層，所述第一襯層保形地襯在所述多個(gè)第一線性偽特征之上和之間，且襯在所述第一緩沖層之上；

通過執(zhí)行各向異性蝕刻操作來形成多對第一線性圖案，所述各向異性蝕刻操作去除所述第一襯層的在所述第一線性偽特征上和之間的橫向部分，每對所述第一線性圖案分別覆蓋所述多個(gè)第一線性偽特征的兩個(gè)側(cè)壁；

去除第一線性偽特征；

依序在所述第一線性圖案之間填充旋涂硬掩模層，并在所述旋涂硬掩模層上沉積第二緩沖層；

在第二緩沖層上形成多個(gè)第二線性偽特征，所述第二線性偽特征彼此并排且沿著第二方向延伸，所述第二方向投影地與所述第一方向截交；

形成第二襯層，所述第二襯層保形地襯在所述第二線性偽特征之上和之間，且襯在所述第二緩沖層之上；

通過執(zhí)行各向異性蝕刻操作來形成多對第二線性圖案，所述各向異性蝕刻操作去除所述第二襯層的橫向部分，每對所述第二線性圖案分別覆蓋所述多個(gè)第二線性偽特征的兩個(gè)側(cè)壁；

進(jìn)行中間層開口工藝，所述中間層開口工藝通過所述第一線性圖案和所述第二線性圖案，來同時(shí)蝕刻所述第二線性偽特征、所述第二緩沖層、所述旋涂硬掩模層、和所述第一緩沖層，以部分地暴露所述中間層；和

蝕刻所述中間層的暴露部分，以在所述掩模疊層上形成網(wǎng)格型圖案；

其中，所述中間層開口工藝包括：

凹陷所述第二緩沖層在多個(gè)對間間隙下方的暴露部分以暴露所述旋涂硬掩模層的部分，其中，每個(gè)所述對間間隙被限定在所述多對第二線性圖案的相鄰兩對之間；

通過第二線性圖案和第一線性圖案，凹陷所述旋涂硬掩模層的在所述第二線性圖案之間的對間間隙下的暴露部分，以暴露所述第一緩沖層的部分；

去除所述第二線性偽特征以暴露所述第二緩沖層的部分，使得每對所述第二線性圖案限定出對內(nèi)開口；

通過所述第二線性圖案，凹陷所述第二緩沖層的在所述對內(nèi)開口下方的暴露部分，以使所述旋涂硬掩模層的所述對內(nèi)開口下方的部分暴露；

通過所述第一線性圖案和所述第二線性圖案，凹陷所述第一緩沖層的暴露在所述對間間隙之下，以暴露所述中間層的所述對間間隙之下的部分；

通過所述第一線性圖案和所述第二線性圖案，凹陷所述旋涂硬掩模層的在所述對內(nèi)開口下方的暴露部分，使所述第一緩沖層的在所述對內(nèi)開口下方的部分暴露；和

通過所述第二線性圖案和所述第一線性圖案，凹陷所述第一緩沖層的暴露在所述對內(nèi)開口下方的部分，以暴露中間層的在所述對內(nèi)開口下方的部分。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一線性偽特征包括：

在所述第一緩沖層上依序設(shè)置第一偽置層和第一偽掩模層；

圖案化所述第一偽掩模層以形成彼此并排的多個(gè)第一初步線性特征，所述多個(gè)第一初步線性特征沿所述第一方向延伸；和

通過所述第一初步線性特征蝕刻所述第一偽置層的暴露部分以部分地暴露所述第一緩沖層，從而形成所述第一線性偽特征，其中所述第一緩沖層的暴露部分同時(shí)凹陷，使得所述第一緩沖層的所述暴露部分低于第一緩沖層的在所述第一線性偽特征下的部分。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，其中，形成所述第一線性圖案還包括：

執(zhí)行各向異性蝕刻操作以去除所述第一線性圖案的邊緣部分，其中所述第一緩沖層的暴露部分同時(shí)凹陷，使得所述暴露部分低于所述第一緩沖層的被所述第一線性圖案覆蓋的部分；和

去除所述第一初步線性特征，以暴露所述第一線性偽特征。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于

其中，所述第一偽置層是通過旋涂工藝形成的；

其中，所述第一偽置層包括碳。

5.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于

其中，所述第一偽掩模層包括氮化硅。