[發(fā)明專利]表面處理銅箔有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010040372.2 | 申請日: | 2020-01-15 |
| 公開(公告)號: | CN111526659B | 公開(公告)日: | 2022-05-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賴建銘;賴耀生;周瑞昌 | 申請(專利權(quán))人: | 長春石油化學(xué)股份有限公司 |
| 主分類號: | H05K1/09 | 分類號: | H05K1/09;H05K1/11 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 肖威;劉金輝 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣臺(tái)北*** | 國省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 表面 處理 銅箔 | ||
表面處理銅箔,其具有0.4至2.2μm3/μm2范圍內(nèi)的空隙體積(Vv)以及小于或等于0.4μm的算術(shù)平均波度(Wa)。該表面處理銅箔是在輥筒面上進(jìn)行處理,且包括具有粗化粒子層的處理層。所述表面處理銅箔可用作具有低傳輸損耗的導(dǎo)電材料,例如用于電路板中。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及具有受控的表面特性的電解銅箔。本公開也涉及電路板等,其顯現(xiàn)電子信號的低傳輸損耗,且包括該電解銅箔作為其組件。
背景技術(shù)
對于傳輸大量數(shù)據(jù)的需求日益增長,需要不斷提高電路板上組件之間的傳輸速度。為達(dá)成這些速度,頻率范圍必需從低于1MHz增加至1GHz、10GHz甚或更高。于這些較高范圍內(nèi),電流主要在接近導(dǎo)體表面處流動(dòng),這是由于眾所周知的“集膚效應(yīng)(skin effect)”所導(dǎo)致,即高頻電流密度于導(dǎo)體表面處為最高且朝向中心呈指數(shù)衰減的趨勢。集膚深度(skindepth),承載大約67%的信號,與頻率的平方根成反比。因此,于1MHz的集膚深度為65.2μm,于1GHz的集膚深度為2.1μm,而于10GHz的集膚深度僅為0.7μm。在較高頻率下,導(dǎo)體的表面形貌或粗糙度變得愈發(fā)重要,因?yàn)榇蠹s或大于集膚深度的粗糙度將對信號傳輸造成影響。
加劇劣化的一個(gè)因素為,印刷電路板中的導(dǎo)體表面通常特意地進(jìn)行粗糙化,以增強(qiáng)導(dǎo)體與電路板的層壓結(jié)構(gòu)中使用的樹脂層的粘合特性。通常而言,粗糙化表面的表面粗糙度Rz約為數(shù)微米,且其會(huì)影響 GHz范圍內(nèi)的任何傳輸。因此,設(shè)計(jì)受到高粗糙度(以確保足夠的粘合性)及低粗糙度(以最小化傳輸損耗)間相互矛盾的需求的限制。一種嘗試并提供表面形貌控制的方法,是粗糙化電解銅箔的沉積面或輥筒面。沉積面通常比輥筒面或“光澤(shiny)”面粗糙。于一般經(jīng)處理的箔中,沉積面經(jīng)粗糙化,且因其粗糙度通常較高,其與樹脂層的粘合性優(yōu)異。為了維持信號傳輸?shù)钠焚|(zhì),業(yè)經(jīng)研發(fā)出反轉(zhuǎn)處理的箔 (RTF)。RTF是在其光澤面進(jìn)行粗糙化處理,故其粗糙度較未進(jìn)行任何粗糙化的表面的粗糙度高,但可控制為低于在沉積面進(jìn)行粗糙化的粗糙度。因此,RTF提供良好的粘合性,例如,相當(dāng)于正常處理的箔,或者至少對于如用于電路板中的應(yīng)用是可接受的。相比于正常處理的箔, RTF亦可理想地降低信號的傳輸損耗。
盡管RTF技術(shù)提供對于傳輸損耗方面的改善,但銅箔的光滑表面導(dǎo)致其對樹脂層的剝離強(qiáng)度差,使得銅箔于加工或后續(xù)工序時(shí)容易從樹脂層分離。
因此,對于具有低傳輸損耗及良好粘合強(qiáng)度的用于制造電路板的銅箔仍存在需求。
發(fā)明內(nèi)容
總的來說,本公開涉及一種銅箔,例如可用作電路板中的導(dǎo)體的電解銅箔。銅箔業(yè)經(jīng)制備為具有受控的表面特性,該銅箔即使在高頻下也可提供低傳輸損耗,且對電路板中的樹脂層具有高粘合性。
在第一方面,本公開提供包含一種表面處理銅箔,其包括電解銅箔以及處理層。該電解銅箔包括輥筒面及沉積面。該處理層設(shè)置在該輥筒面上以提供表面處理面,其中,該處理層包含粗化粒子層。該表面處理面具有0.4至2.2μm3/μm2范圍內(nèi)的空隙體積(voidvolume, Vv)以及小于或等于0.4μm的算術(shù)平均波度(waviness,Wa)。
任選地,表面處理面具有0.1至0.4μm范圍內(nèi)的算術(shù)平均波度 (Wa)。任選地,表面處理面具有0.4至2μm3/μm2范圍內(nèi)的核心部空隙體積(core void volume,Vvc)。任選地,表面處理面具有0.01 至0.1μm3/μm2范圍內(nèi)的波谷部空隙體積(dale void volume,Vvv)。
于一些選擇中,該表面處理面于光波長700nm具有28%至76%范圍內(nèi)的反射率。任選地,于光波長700nm的反射率大于40%或在40%至70%范圍內(nèi)。
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