[發明專利]基板處理裝置的清洗方法和基板處理裝置在審
| 申請號： | 202010038164.9 | 申請日： | 2020-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN111463096A | 公開（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發明（設計）人： | 竹澤由裕;鈴木大介;林寬之;藤田成樹;宮原達也;有賀純史;菊地晉哉 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01J37/32 | 分類號： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 裝置 清洗 方法 | ||
本公開涉及基板處理裝置的清洗方法和基板處理裝置，能夠抑制在向大氣開放時排氣管被腐蝕，且能夠抑制氟殘留于處理容器的內部。所述清洗方法包括清洗用于對處理容器的內部進行排氣的排氣管的工序，清洗所述排氣管的工序包括如下工序：在關閉設置于所述排氣管的中途的開閉閥的狀態下，向所述排氣管的比所述開閉閥靠下游側的部分供給包括氟的第一排氣管清洗氣體，由此通過所述第一排氣管清洗氣體去除所述排氣管的比所述開閉閥靠下游側的部分的沉積物；以及在打開所述開閉閥的狀態下，向所述處理容器的內部供給不包括氟來作為氣體構成元素的第二排氣管清洗氣體，由此通過所述第二排氣管清洗氣體去除所述排氣管的比所述開閉閥靠上游側的部分的沉積物。
技術領域
本公開涉及一種基板處理裝置的清洗方法和基板處理裝置。
背景技術
在專利文獻1中公開了如下技術：在處理容器的內部配置硅單晶基板，并向處理容器的內部供給氯硅烷氣體與氫氣的混合氣體，由此在硅單晶基板上形成硅膜。處理容器與用于對處理容器的內部進行排氣的排氣管連接。在形成硅膜時，會在排氣管上沉積氯硅烷氣體的殘留成分。例如，沉積聚氯硅烷以及聚氯硅氧烷等。在上述專利文獻1中，向排氣管供給三氟化氯氣體與氮氣的混合氣體，以去除排氣管的沉積物。
專利文獻1：日本特開2001-284264號公報
發明內容
本公開的一個方式提供一種能夠抑制在向大氣開放時排氣管被腐蝕、且能夠抑制氟殘留于處理容器的內部的技術。
本公開的一個方式所涉及的基板處理裝置的清洗方法包括清洗用于對處理容器的內部進行排氣的排氣管的工序，清洗所述排氣管的工序包括如下工序：在關閉設置于所述排氣管的中途的開閉閥的狀態下，向所述排氣管的比所述開閉閥靠下游側的部分供給包括氟的第一排氣管清洗氣體，由此通過所述第一排氣管清洗氣體去除所述排氣管的比所述開閉閥靠下游側的部分的沉積物；以及在打開所述開閉閥的狀態下，向所述處理容器的內部供給不包括氟來作為氣體構成元素的第二排氣管清洗氣體，由此通過所述第二排氣管清洗氣體去除所述排氣管的比所述開閉閥靠上游側的部分的沉積物。
根據本公開的一個方式，能夠抑制在向大氣開放時排氣管被腐蝕，并且能夠抑制氟殘留于處理容器的內部。
附圖說明
圖1是表示一個實施方式所涉及的基板處理裝置的圖。
圖2是表示一個實施方式所涉及的處理單元的圖。
圖3是表示一個實施方式所涉及的基板處理裝置的動作的流程圖。
圖4是表示一個實施方式所涉及的排氣管清洗工序的流程圖。
圖5是表示一個實施方式所涉及的基板處理裝置的清洗條件的圖。
具體實施方式
下面，參照附圖來說明本公開的實施方式。此外，在各附圖中，對同一或對應的結構標注同一或對應的標記，有時省略說明。
(基板處理裝置)
圖1是表示一個實施方式所涉及的基板處理裝置的圖。基板處理裝置1為用于對基板形成膜的成膜裝置。基板處理裝置1例如具備處理單元10、除害裝置50、排氣源51、控制部100。
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