[發(fā)明專(zhuān)利]基板處理裝置的清洗方法和基板處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010038164.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-01-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111463096A | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 竹澤由裕;鈴木大介;林寬之;藤田成樹(shù);宮原達(dá)也;有賀純史;菊地晉哉 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01J37/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 清洗 方法 | ||
1.一種基板處理裝置的清洗方法,包括清洗用于對(duì)處理容器的內(nèi)部進(jìn)行排氣的排氣管的內(nèi)部的工序,
清洗所述排氣管的內(nèi)部的工序包括如下工序:
在關(guān)閉設(shè)置于所述排氣管的中途的開(kāi)閉閥的狀態(tài)下,向所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠下游側(cè)的部分供給包括氟的第一排氣管清洗氣體,由此通過(guò)所述第一排氣管清洗氣體去除所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠下游側(cè)的部分的沉積物;以及
在打開(kāi)所述開(kāi)閉閥的狀態(tài)下,向所述處理容器的內(nèi)部供給不包括氟來(lái)作為氣體構(gòu)成元素的第二排氣管清洗氣體,由此通過(guò)所述第二排氣管清洗氣體去除所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠上游側(cè)的部分的沉積物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置的清洗方法,其特征在于,
還包括如下工序:向所述處理容器的內(nèi)部供給含有除了氟以外的鹵素來(lái)作為氣體構(gòu)成元素的處理容器清洗氣體,由此清洗所述處理容器的內(nèi)部,
清洗所述排氣管的內(nèi)部的工序?yàn)槿コ谇逑此鎏幚砣萜鞯膬?nèi)部的工序中沉積于所述排氣管的內(nèi)部的沉積物的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置的清洗方法,其特征在于,
在清洗所述處理容器的內(nèi)部的工序之后,實(shí)施通過(guò)所述第一排氣管清洗氣體來(lái)去除所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠下游側(cè)的部分的沉積物的工序,之后,實(shí)施通過(guò)所述第二排氣管清洗氣體來(lái)去除所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠上游側(cè)的部分的沉積物的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置的清洗方法,其特征在于,
所述排氣管在通過(guò)所述第一排氣管清洗氣體來(lái)去除所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠下游側(cè)的部分的沉積物的工序中的溫度、比所述排氣管在通過(guò)所述第二排氣管清洗氣體來(lái)去除所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠上游側(cè)的部分的沉積物的工序中的溫度低。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的基板處理裝置的清洗方法,其特征在于,
所述處理容器在通過(guò)所述第一排氣管清洗氣體來(lái)去除所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠下游側(cè)的部分的沉積物的工序中的溫度、比所述處理容器在通過(guò)所述第二排氣管清洗氣體來(lái)去除所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠上游側(cè)的部分的沉積物的工序中的溫度低。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置的清洗方法,其特征在于,
在所述排氣管的清洗中被去除的沉積物為包括硅和鍺中的至少一個(gè)及除了氟以外的鹵素的化合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置的清洗方法,其特征在于,
所述第二排氣管清洗氣體為從氫氣體與氧氣體的混合氣體、氨氣體、以及氧氣體中選擇出的一種以上的氣體。
8.一種基板處理裝置,具備:
處理容器;
排氣管,其對(duì)所述處理容器的內(nèi)部進(jìn)行排氣;
開(kāi)閉閥,其設(shè)置于所述排氣管的中途;
第一排氣管清洗氣體供給機(jī)構(gòu),其向所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠下游側(cè)的部分供給包括氟的第一排氣管清洗氣體;
第二排氣管清洗氣體供給機(jī)構(gòu),其向所述處理容器供給不包括氟來(lái)作為氣體構(gòu)成元素的第二排氣管清洗氣體;以及
控制部,其控制所述開(kāi)閉閥、所述第一排氣管清洗氣體供給機(jī)構(gòu)以及所述第二排氣管清洗氣體供給機(jī)構(gòu),
其中,所述控制部在關(guān)閉所述開(kāi)閉閥的狀態(tài)下,向所述排氣管的下游側(cè)供給所述第一排氣管清洗氣體,由此通過(guò)所述第一排氣管清洗氣體來(lái)去除所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠下游側(cè)的部分的沉積物,
所述控制部在打開(kāi)所述開(kāi)閉閥的狀態(tài)下,向所述處理容器的內(nèi)部供給所述第二排氣管清洗氣體,由此通過(guò)所述第二排氣管清洗氣體來(lái)去除所述排氣管的比所述開(kāi)閉閥靠上游側(cè)的部分的沉積物。
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