[發明專利]一種臺階結構的制造方法有效
| 申請號： | 202010035745.7 | 申請日： | 2020-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN111204704B | 公開（公告）日： | 2023-09-19 |
| 發明（設計）人： | 萬蔡辛 | 申請（專利權）人： | 無錫韋感半導體有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人： | 楊思雨 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市新吳*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 臺階 結構 制造 方法 | ||
1.一種臺階結構的制造方法，其特征在于，包括：
在襯底的第一表面上形成第一掩膜層；
圖形化所述第一掩膜層以形成貫穿所述第一掩膜層的第一開口，所述第一開口暴露所述第一表面的部分區域；
在所述第一掩膜層以及所述第一開口上形成第二掩膜層；
圖形化所述第二掩膜層以形成貫穿所述第二掩膜層的多個第二開口，所述多個第二開口分別位于所述第一開口的邊界的位置；以及
分別以所述第一掩膜層和所述第二掩膜層為掩膜對所述襯底進行刻蝕，以在所述襯底中形成所述臺階結構。
2.根據權利要求1所述的臺階結構的制造方法，其特征在于，所述多個第二開口的開口面積小于所述襯底面積的20%。
3.根據權利要求1所述的臺階結構的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜層為硅的氧化物，所述第二掩膜層為光刻膠。
4.根據權利要求3所述的臺階結構的制造方法，其特征在于，所述分別以所述第一掩膜層和所述第二掩膜層為掩膜對所述襯底進行刻蝕，以在所述襯底中形成所述臺階結構包括：
以所述第二掩膜層為掩膜對所述襯底進行刻蝕，在所述襯底中形成多個第一深槽；
去除所述第二掩膜層；
以所述第一掩膜層為掩膜對所述襯底進行刻蝕，在所述襯底中形成預定深度的第二深槽，同時將所述多個第一深槽向下延伸至所述預定深度，所述多個第一深槽和所述第二深槽在所述襯底中形成所述臺階結構；以及
在形成所述臺階結構之后去除所述第一掩膜層。
5.根據權利要求1所述的臺階結構的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜層和所述第二掩膜層為硅的氧化物。
6.根據權利要求5所述的臺階結構的制造方法，其特征在于，所述分別以所述第一掩膜層和所述第二掩膜層為掩膜對所述襯底進行刻蝕，以在所述襯底中形成臺階結構包括：
以所述第二掩膜層為掩膜對所述襯底進行刻蝕，在所述襯底中形成多個第一深槽；
去除所述第一掩膜層和所述第二掩膜層；
對所述襯底進行刻蝕，在所述襯底中形成預定深度的第二深槽，同時將所述多個第一深槽向下延伸至所述預定深度，所述多個第一深槽和所述第二深槽在所述襯底中形成所述臺階結構。
7.根據權利要求4或6所述的臺階結構的制造方法，其特征在于，所述襯底還包括與所述第一表面相背且包括結構圖形的第二表面，所述制造方法還包括：
在形成所述臺階結構前在所述襯底的第二表面形成一犧牲層；所述第一深槽和所述第二深槽貫穿所述襯底，暴露所述犧牲層的表面；以及
在形成所述臺階結構之后去除所述犧牲層。
8.根據權利要求7所述的臺階結構的制造方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝或者氫氟酸蒸汽刻蝕去除所述第一掩膜層、所述犧牲層以及硅的氧化物材質的所述第二掩膜層。
9.根據權利要求7所述的臺階結構的制造方法，其特征在于，采用干法等離子去膠去除光刻膠材質的所述第二掩膜層。
10.根據權利要求1所述的臺階結構的制造方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝形成所述臺階結構。
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