[發明專利]一種重摻產品拋光后厚度控制的方法

有效

• 申請號: 202010033493.4
• 申請日: 2020-01-13
• 公開（公告）號: CN111203792B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發明（設計）人: 祝斌;劉蛟龍;裴坤羽;武衛;孫晨光;劉建偉;由佰玲;劉園;常雪巖;謝艷;楊春雪;劉秒;王彥君;呂瑩;徐榮清
• 申請（專利權）人: 天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02;B24B51/00
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

本發明提供一種重摻產品拋光后厚度控制的方法，包括以下步驟，計算晶片在拋光時的去除速率；根據晶片初始厚度，確定晶片所處拋光階段，計算標準去除速率；根據標準去除速率計算進入拋光階段的來料的拋光時間，并根據拋光時間進行拋光。本發明的有益效果是用于對重摻產品在拋光過程中進行厚度控制，保證拋光后硅片厚度的均一性，保證在批量生產過程中厚度的一致性，便于控制晶片的幾何參數的穩定性。

技術領域

本發明屬于半導體制備技術領域，尤其是涉及一種重摻產品拋光后厚度控制的方法。

背景技術

對于輕摻產品可以在加工過程中使用激光照射晶片表面，在晶片的上表面和下表面都會產生反射，通過在上下兩個表面的反射就可以獲得反射頻譜，通過數據的轉換就能將不同的頻譜信息轉換成晶片的厚度信息，從而可以在加工的過程中獲得晶片的厚度。但是對于重摻產品激光照射在晶片表面以后無法獲得反射頻譜，也就無法獲得晶片的厚度信息不能做到對晶片的厚度進行準確控制，只能通過控制拋光時間對拋光后的厚度進行預估，這樣會導致批量加工晶片時晶片的厚度不均一，幾何參數也會出現較大的波動。

發明內容

鑒于上述問題，本發明要解決的問題是提供一種重摻產品拋光后厚度控制的方法，用于對重摻產品在拋光過程中進行厚度控制，保證拋光后硅片厚度的均一性，保證在批量生產過程中厚度的一致性，便于控制晶片的幾何參數的穩定性。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是：一種重摻產品拋光后厚度控制的方法，包括以下步驟，

計算晶片在拋光時的去除速率；

根據晶片初始厚度，確定晶片所處拋光階段，計算標準去除速率；

根據標準去除速率計算進入拋光階段的來料的拋光時間，并根據拋光時間進行拋光。

進一步的，計算晶片在拋光時的去除速率的步驟中，包括以下步驟：

選取多組前值厚度一致的晶片；

設定每一組晶片的拋光時間，且每一組晶片的拋光時間不同；

依次計算相鄰兩組之間的去除速率的變化值；

計算多組去除速率的變化值的平均值。

進一步的，每一組晶片的拋光時間為1-10min。

進一步的，根據標準去除速率計算進入拋光階段的來料的拋光時間，并根據拋光時間進行拋光步驟，包括以下步驟，

根據標準去除速率計算第一批來料進入拋光階段的下一拋光階段的來料目標厚度；

根據來料目標厚度計算第一批來料之后的每一批來料的拋光時間；優選的，來料厚度差小于1um。

進一步的，根據標準去除速率計算第一批來料進入拋光階段的下一拋光階段的來料目標厚度步驟中，設定第一拋光時間，來料目標厚度位來料前值厚度與去除厚度之差，去除厚度為標準去除速率乘以第一拋光時間。

進一步的，根據來料目標厚度計算第一批來料之后的每一批來料的拋光時間步驟中，每一批來料的拋光時間為來料實際厚度差除以標準去除速率，來料實際厚度差為每一批來料的前值厚度減去來料目標厚度。

進一步的，根據晶片初始厚度，確定晶片所處拋光階段，計算標準去除速率的步驟中，根據晶片初始厚度與夾具厚度的差值與拋光階段的標準厚度差值進行對比，確定晶片所處的拋光階段。

進一步的，標準去除速率為去除速率乘以拋光階段的拋光系數。

進一步的，拋光階段包括第一階段、第二階段和第三階段，其中，

晶片初始厚度與夾具厚度的差值大于第一階段的第一標準厚度差值時，標準去除速率為去除速率乘以第一拋光系數；