[發(fā)明專利]一種重?fù)疆a(chǎn)品拋光后厚度控制的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010033493.4
• 申請(qǐng)日: 2020-01-13
• 公開（公告）號(hào): CN111203792B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 祝斌;劉蛟龍;裴坤羽;武衛(wèi);孫晨光;劉建偉;由佰玲;劉園;常雪巖;謝艷;楊春雪;劉秒;王彥君;呂瑩;徐榮清
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司;中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司
• 主分類號(hào): B24B29/02
• 分類號(hào): B24B29/02;B24B51/00
• 代理公司: 天津諾德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種重?fù)疆a(chǎn)品拋光后厚度控制的方法，其特征在于：包括以下步驟，

計(jì)算晶片在拋光時(shí)的去除速率；

根據(jù)所述晶片初始厚度，確定所述晶片所處拋光階段，計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)去除速率；根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)去除速率計(jì)算進(jìn)入所述拋光階段的來料的拋光時(shí)間，并根據(jù)所述拋光時(shí)間進(jìn)行拋光，包括以下步驟，

根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)去除速率計(jì)算第一批來料進(jìn)入所述拋光階段的下一拋光階段的來料目標(biāo)厚度，設(shè)定第一拋光時(shí)間，所述來料目標(biāo)厚度為來料前值厚度與去除厚度之差，所述去除厚度為所述標(biāo)準(zhǔn)去除速率乘以所述第一拋光時(shí)間；

根據(jù)所述來料目標(biāo)厚度計(jì)算第一批來料之后的每一批來料的拋光時(shí)間，所述每一批來料的拋光時(shí)間為來料實(shí)際厚度差除以所述標(biāo)準(zhǔn)去除速率，所述來料實(shí)際厚度差為每一批來料的前值厚度減去所述來料目標(biāo)厚度；

其中，在雙面拋光工藝中，拋光階段包括：第一階段時(shí)間恒定，拋光壓力增加，第二階段時(shí)間可以調(diào)節(jié)，上下盤壓力恒定，第三階段為主拋光階段，第四階段壓力會(huì)逐漸減少。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的重?fù)疆a(chǎn)品拋光后厚度控制的方法，其特征在于：所述計(jì)算晶片在拋光時(shí)的去除速率的步驟中，包括以下步驟：

選取多組前值厚度一致的晶片；

設(shè)定每一組晶片的拋光時(shí)間，且每一組晶片的拋光時(shí)間不同；

依次計(jì)算相鄰兩組之間的去除速率的變化值；

計(jì)算所述多組去除速率的變化值的平均值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的重?fù)疆a(chǎn)品拋光后厚度控制的方法，其特征在于：所述每一組晶片的拋光時(shí)間為1-10min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的重?fù)疆a(chǎn)品拋光后厚度控制的方法，其特征在于：來料厚度差小于1um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的重?fù)疆a(chǎn)品拋光后厚度控制的方法，其特征在于：所述根據(jù)所述晶片初始厚度，確定所述晶片所處拋光階段，計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)去除速率的步驟中，根據(jù)所述晶片初始厚度與夾具厚度的差值與所述拋光階段的標(biāo)準(zhǔn)厚度差值進(jìn)行對(duì)比，確定所述晶片所處的拋光階段。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的重?fù)疆a(chǎn)品拋光后厚度控制的方法，其特征在于：所述標(biāo)準(zhǔn)去除速率為所述去除速率乘以所述拋光階段的拋光系數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的重?fù)疆a(chǎn)品拋光后厚度控制的方法，其特征在于：所述拋光階段包括第一階段、第二階段和第三階段，其中，

所述晶片初始厚度與夾具厚度的差值大于所述第一階段的第一標(biāo)準(zhǔn)厚度差值時(shí)，所述標(biāo)準(zhǔn)去除速率為所述去除速率乘以第一拋光系數(shù)；

所述晶片初始厚度與夾具厚度的差值位于所述第一階段的第一標(biāo)準(zhǔn)厚度差值與所述第二階段的第二標(biāo)準(zhǔn)厚度差值之間時(shí)，所述標(biāo)準(zhǔn)去除速率為所述去除速率乘以第二拋光系數(shù)；

所述晶片初始厚度與夾具厚度的差值位于所述第二階段的第二標(biāo)準(zhǔn)厚度差值與所述第三階段的第三標(biāo)準(zhǔn)厚度差值之間時(shí)，所述標(biāo)準(zhǔn)去除速率為所述去除速率乘以第三拋光系數(shù)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的重?fù)疆a(chǎn)品拋光后厚度控制的方法，其特征在于：所述第一階段的第一標(biāo)準(zhǔn)厚度差值為3-5um，所述第一拋光系數(shù)為1；

所述第二階段的第二標(biāo)準(zhǔn)厚度差值為0.5-1.5um，所述第二拋光系數(shù)為0.75-0.85；

所述第三階段的第三標(biāo)準(zhǔn)厚度差值為目標(biāo)差值與偏差值之和，所述第三拋光系數(shù)為0.5-0.6；

所述目標(biāo)差值為夾具厚度與目標(biāo)差值之差，所述偏差值為0.5-1.5um。