[發(fā)明專利]一種提高邊拋大直徑硅片表面潔凈度的清洗工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010033492.X | 申請日: | 2020-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN111211042B | 公開(公告)日: | 2022-11-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 武衛(wèi);張宏杰;孫晨光;劉建偉;由佰玲;劉園;常雪巖;謝艷;楊春雪;劉秒;裴坤羽;祝斌;劉姣龍;王彥君;呂瑩;徐榮清 | 申請(專利權(quán))人: | 天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司;中環(huán)領(lǐng)先半導(dǎo)體材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 天津諾德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 欒志超 |
| 地址: | 300384 天津市濱海*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 提高 邊拋大 直徑 硅片 表面 潔凈 清洗 工藝 | ||
本發(fā)明提供一種提高邊拋大直徑硅片表面潔凈度的清洗工藝,包括以下步驟,對硅片進(jìn)行堿溶液清洗;對硅片進(jìn)行第一純水清洗,去除硅片表面的堿溶液;對硅片進(jìn)行酸溶液清洗;對硅片進(jìn)行第二純水清洗,去除硅片表面的酸溶液;對硅片進(jìn)行第三純水清洗;對硅片進(jìn)行慢提拉、烘干。本發(fā)明的有益效果是用于對大直徑硅片邊拋后清洗,采用堿洗和酸洗,去除硅片表面的顆粒雜質(zhì)和金屬離子,保證硅片表面的清潔度,降低清洗成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于硅片生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種提高邊拋大直徑硅片表面潔凈度的清洗工藝。
背景技術(shù)
邊拋是對硅片進(jìn)行全局平坦化的最有效的方法,在化學(xué)機(jī)械拋光后,硅片表面雜質(zhì)及金屬離子殘留比較多,需要對硅片進(jìn)行清洗。但隨著硅片尺寸的增大,按照目前清洗方式,臟片比例上升。雖然,采用延長清洗的時(shí)間、加大藥液的用量、增加溢流量可以達(dá)到清洗目的,但成本會(huì)上升。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題,本發(fā)明要解決的問題是提供一種提高邊拋大直徑硅片表面潔凈度的清洗工藝,用于對大直徑硅片邊拋后清洗,采用堿洗和酸洗,去除硅片表面的顆粒雜質(zhì)和金屬離子,保證硅片表面的清潔度,降低清洗成本。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種提高邊拋大直徑硅片表面潔凈度的清洗工藝,包括以下步驟,
對硅片進(jìn)行堿溶液清洗;
對硅片進(jìn)行第一純水清洗,去除硅片表面的堿溶液;
對硅片進(jìn)行酸溶液清洗;
對硅片進(jìn)行第二純水清洗,去除硅片表面的酸溶液;
對硅片進(jìn)行第三純水清洗;
對硅片進(jìn)行慢提拉、烘干。
進(jìn)一步的,對硅片進(jìn)行堿溶液清洗中,采用堿溶液對硅片進(jìn)行超聲清洗,清洗時(shí)間為250-350s,堿溶液溫度為50-70℃。
進(jìn)一步的,對硅片進(jìn)行堿溶液清洗中,堿溶液為氨水與雙氧水混合溶液,氨水與雙氧水的體積比為1:2,氨水為質(zhì)量分?jǐn)?shù)44%-46%溶液。
進(jìn)一步的,對硅片進(jìn)行酸溶液清洗中,清洗時(shí)間為250-350s,酸溶液溫度為40-50℃。
進(jìn)一步的,酸溶液為鹽酸與雙氧水溶液,鹽酸與雙氧水的體積比為1:2,鹽酸為質(zhì)量分?jǐn)?shù)35%-38%溶液。
進(jìn)一步的,雙氧水為質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%-32%溶液。
進(jìn)一步的,對硅片進(jìn)行第一純水清洗中,清洗時(shí)間為250-350s。
進(jìn)一步的,對硅片進(jìn)行第二純水清洗中,清洗時(shí)間為230-330s。
進(jìn)一步的,對硅片進(jìn)行第三純水清洗中,清洗時(shí)間為250-350s
進(jìn)一步的,對硅片進(jìn)行慢提拉、烘干步驟中,硅片慢提拉時(shí)間為30-90s,溫度為40-50℃,烘干時(shí)間為50-110℃。
由于采用上述技術(shù)方案,具有堿洗部、第一純水清洗部、酸洗部、第二純水清洗部和第三純水清洗部,依次對硅片進(jìn)行堿洗、純水清洗、酸洗、純水清洗和純水超聲清洗,通過堿洗的腐蝕和酸洗的腐蝕,便于將邊拋后的硅片表面的顆粒雜質(zhì)和金屬離子去除,同時(shí)能夠?qū)⒐杵砻娴臋C(jī)械損傷去除,保證硅片表面的清潔度,降低清洗成本。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:
1、堿洗部 2、第一純水清洗部 3、酸洗部
4、第二純水清洗部 5、第三純水清洗部 6、慢提拉部
7、烘干部
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





